多芯片集成终于在隔离型DC-DC转换器中实现

2017-06-26 来源:安森美 作者:Yu Meng 字号:

隔离型DC-DC转换器历来通过分立元件实施-分立驱动IC和分立功率MOSFET。这些器件被用于各种拓扑结构。最主要的是“半桥”和“全桥”。

许多云基础设施的应用采用半桥和全桥拓扑结构,如无线基站(远程无线电单元)、电源模块和任何板载隔离型DC-DC转换器。其他应用包括工业领域,如电机驱动器、风扇和暖通空调(HVAC)。这些应用的设计工程师力求降低整体方案的大小或增加输出功率。

多芯片集成终于在隔离型DC-DC转换器中实现

安森美半导体的FDMF8811是业界首款100 V桥式功率级模块,优化用于全桥和半桥拓扑。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。

与分立方案相比,FDMF8811可减少一个典型的全桥方案约三分之一的PCB面积。这令制造商设计更紧凑、高能效的产品。物料单(BOM)器件的数量也显着减少,实现供应链和装配的高效。

多芯片集成终于在隔离型DC-DC转换器中实现

如果PCB面积不是问题,那FDMF8811可有助于在现有的PCB面积内提高设计的输出功率。例如,这可通过从现有的、本来低功率拓扑结构,如有源钳位正激、反激式或推拉式,转为采用FDMF8811的半桥或全桥拓扑来实现。另一个例子是现有的采用分立MOSFET的半桥方案可以转换为在相同的占板面积内的一个全桥拓扑。这种转换使系统的输出功率加倍。

FDMF8811集成了一对100V的功率MOSFET、120 V驱动器IC和一个自举二极管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封装。

多芯片集成终于在隔离型DC-DC转换器中实现

通过集成所有的关键动力传动元件,安森美半导体已经能优化该模块的驱动器和MOSFET的动态性能、系统寄生电感和功率MOSFET的导通电阻RDS(ON),从而保持尽可能最高的能效。该集成显著降低了供电回路的寄生效应。这大大降低电压应力和电磁干扰(EMI),提高系统的可靠性。

采用FDMF8811的隔离型DC-DC转换器被充分优化,以在最佳能效水平达到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811,实在没有理由再使用分立器件!

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