氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼 之 包络跟踪

图6：满载输出时的PCB的温度热性能图像。

图7：在132 W测试条件下，使用EPC9006开发板所估计热性能的图形。

图8：在330 W测试条件下，使用EPC9002开发板所估计热性能的图行。

总结

以上的结果并没有经过优化，因此未来还可以再进一步改善。我们建议在效率方面有3个可改善的地方：

1）改善可选电感。

2）改善热设计------使用更薄的热界面材料层、更厚的PCB铜和安装在低热阻散热器上的多相位方法。

3）通过减小低侧器件体积来降低峰值器件温度，从而减少高侧QOSS损耗。

但是，结果展示为高功率包络跟踪应用构建一个使用氮化镓场效应晶体管降压转换器（如基站）是可行的。实际的功率电平和相位数要求取决于具体应用的功率电平和带宽要求。1MHz时可以实现97%以上的效率，4MHz时可以实现94%以上的效率。

作者：宜普电源转换公司产品应用副总裁Johan Strydom博士