射频MEMS移相器

1、引言

微波移相器是相控阵雷达、卫星通信、移动通信设备中的核心组件，它的工作频带、插入损耗直接影响着这些设备的抗干扰能力和灵敏度，以及系统的重量、体积和成本，因此研究宽带、低插损的移相器在军事上和民用卫星通信领域具有重要的意义。近年来，随着RF MEMS开关的研究不断取得进展，使MEMS开关替代传统的铁氧体开关、p-i-n二极管、FET，设计制造宽带、低插损RF MEMS移相器成为可能。因此采用MEMS微波开关技术的单片集成RF MEMS移相器，具有较低的插入损耗、宽带宽、小体积的特点，是实现上万单元相控阵天线的关键技术，对卫星组网技术、战术、战略侦察、制导均有重要意义。

2、发展现状

由于相控阵雷达、卫星通信等领域应用的需要，RF MEMS移相器在国际上有众多的研究者，工作频段从几GHz到上百GHz，采用的结构有DMTL型、开关线型和反射型。

2.1 国外发展现状

2.1.1 DMTL型移相器

DMTL型移相器是DistributedMEMSTransmissionline的简称，其结构和等效电路如图1所示。它是在CPW传输线上周期性的加载一定电容比的并联RF MEMS开关，在中心信号线和桥之间加驱动电压，将改变CPW传输线的负载电容，从而改变传输线的特征阻抗和传输系数实现移相。

图1、DMTL型移相器结构和等效电路

DMTL型移相器是美国密歇根大学的N.ScottBarker^[1]在1998年11月第一次设计制造的，为一模拟移相器，它是通过表面MEMS工艺在500mm厚的石英衬底上制作带有周期性MEMS桥电容的CPW传输线（W=G=100μm），驱动电压为0~V_p，V_p为桥电容的下拉电压。当电压在0~V_p间变化时，相移发生连续变化。测量结果显示该移相器可在0~60GHz工作，在60GHz时相移118°，插损为-2dB，在40GHz时相移为84°，插损为-1.8dB，驱动电压为10~23V。

2000年1月加州大学圣·巴巴拉分校的AndreaBorgioli等人^[2]采用MEMS桥和固定MIM电容串联，以减少下态电容，实现了第一个1位数字DMTL移相器。该移相器驱动电压为75V，在25GHz时相移为180°，插损为上态-0.98dB，下态-1.17dB，在35GHz时相移270°，插损为上态-1.07dB，下态-1.69dB，反射损失好于-11dB。

DMTL型移相器具有频带宽、插损小、纯时延、工艺简单的优点，芯片尺寸较大，目前多在低介电常数衬底上制造，在高介电常数衬底上制造需继续减小桥电容和间距以满足布拉格频率^[3]的要求。

2.1.2 开关线型MEMS移相器

开关线型MEMS移相器是通过RF MEMS开关，选择不同的长度的信号路径实现相移。雷讯实验室的B.Pillans等人于1999年12月利用MEMS并联电容耦合开关设计制造了3位、4位Ka波段开关线移相器^[4]。3位的平均插损是-1.7dB，4位的平均插损是-2.2dB，带宽为32~36GHz，反射损失小于-10dB。驱动电压45V。2002年G.L.Tan^[5]使用单刀四掷串联MEMS开关，通过4条不同的路径实现2位开关线移相器，如图2所示，在8~12GHz平均插损为-0.55dB，反射损失好于-17dB。在DC~18GHz相移有很好的线性度，是目前体积最小的MEMS移相器。

图2、Rockwell中心的单刀多掷开关线移相器

开关线型MEMS移相器插损取决于开关导通时的损耗和传输线损耗，要满足插损小、体积小，设计上须保证匹配，因此要对线的长度和阻抗进行优化。

2.1.3 反射型MEMS移相器

反射型MEMS移相器是通过RF MEMS开关改变3dB耦合器反射臂的电抗来实现相移。1999年12月雷讯公司C.L.Goldsmith^[6]利用微带LANGE耦合器和MEMS并联电容耦合开关设计制造了4位X波段反射型移相器，在8GHz时平均插损为-1.4dB，反射损失好于-11dB。2002年汉城大学的Hong-TeukKim等人^[7]采用MEMS空气覆盖型低损耗耦合器，设计了2位（135°）CPW反射型移相器（图3），6个金-金接触串连MEMS开关，控制短路反射线的长度，在60GHz时平均插损-4dB，反射损失从50~70GHz为-11.7dB，尺寸为1.5mm×2.1mm。

反射型MEMS移相器芯片面积较小，但插损较大，其中3dB耦合器的插损随频率增加而增加，不可忽视，同时反射线长度变短，使开关制造有一定困难。

图3、汉城大学的反射型MEMS移相器