图5 不同电流下,(a)饱和效率(b)饱和增益随频率变化的关系(s=3,π mode,V=60kV,α=1.3,B0/Bg=0.99) 图6所示为几个不同磁场失谐率下饱和增益以及饱和效率随频率变化的关系.由图可见,磁场失谐率对饱和增益、饱和效率及饱和带宽都有较大影响,B0/Bg值的提高有利于饱和增益及饱和带宽的提高,但饱和效率却有所降低.在图示条件下,当B0/Bg值从0.983增大到0.998时,饱和带宽从4.8%增大到9.3%. |
图6 不同磁场失谐率下,(a)饱和增益及(b)饱和效率随频率变化的关系(s=3,π mode,I=6A,V=60kV,α=1.3) 图7为在不同磁场失谐率下饱和效率随谐波次数的变化关系.由图表明,饱和效率随谐波次数的增大而降低,B0/Bg值越低,谐波次数对饱和效率的影响越大. |
图7 饱和效率随谐波次数的变化关系(π mode,I=6A,V=60kV,α=1.3,ω/ωc=γz,rL/a=0.7) 图8所示为不同谐波次数下饱和效率随频率的变化关系.图示表明谐波次数对饱和带宽有较大影响.在图示条件下,谐波次数从2增大到4时,饱和带宽从10.3%减小到5.7%. |
图8 不同谐波次数下饱和效率随频率的变化关系(π mode,I=6A,V=60kV,α=1.3,B0/Bg=0.99,ω/ωc=γz,rL/a=0.7) 五、结束语 |