科技部重点研发计划：用于中等功率通用电源的高效率GaN电力电子技术专项年度执行会议在京顺利召开

由苏州能讯高能半导体有限公司牵头，联合国内11家氮化镓领域的知名企业和高校、科研院所共同承担的国家重点研发计划--“用于中等功率通用电源的高效率GaN电力电子技术”经过一年的执行，已经取得了阶段性的成果。为了保证项目研发任务顺利完成，项目于近日在北京西郊宾馆召开了2018年年度项目总结会议。

项目负责人张韵研究员对项目执行情况进行了汇报，本项目在大尺寸硅衬底氮化镓外延材料的翘曲及均匀性、氮化镓增强型电力电子器件的反向漏电、AlN-DBC基板的热导率、高速栅驱动芯片等研究上取得了突破性的进展，并针对技术实施积极部署了专利20件，发表了重要论文13篇，项目技术进展已达到了中期的指标要求，进展顺利。

会议邀请了北京大学沈波教授、纳米所徐科研究员、半导体所王晓亮研究员、北京信息科技大学赵波教授，以及财务专家徐胜怀老师作为项目咨询专家。在听取张韵老师的项目汇报后，与会人员进行了讨论交流，认为项目实施进度与项目实施方案一致，对项目取得的成绩表示认可，并对下一步计划进行指导。

能讯半导体总裁张乃千博士主持了本次会议，对项目的实施情况进行总结性发言，并表示能讯作为本项目的牵头单位将竭力联合各项目参与单位保证项目的顺利完成，项目承诺的目标是我们的目标，业界先进的技术目标更是我们的真实目标。

本项目承担单位：苏州能讯高能半导体有限公司、 晶能光电（江西）有限公司、中国科学院半导体研究所、北京交通大学、北京大学、厦门市三安集成电路有限公司、南京大学、东南大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、苏州捷芯威半导体有限公司、国电新能源技术研究院、中电普瑞科技有限公司。