IEEE电子器件协会学术峰会在电子科技大学举行

近日，2015年IEEE电子器件峰会（IEEE Electron Devices Mini Colloquium）在电子科技大学举行。会议邀请美国国家工程院院士、中科院外籍院士、耶鲁大学T.P. Ma教授，中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室主任刘明教授，台湾长庚大学Cher-Ming Tan教授，荆凤德教授，香港城市大学Hei Wong教授等国内外知名专家参会并作学术报告，分享前沿技术和研究进展。

T.P. Ma教授在报告中简要介绍了集成电路的发展史，并展望了集成电路的发展前景。他结合自身研究方向，针对铁电存储器的研究和应用情况进行了详细介绍。

刘明教授主要从事微/纳米加工技术、存储器器件和集成、纳米电子和分子电子方向的研究工作，拥有超过100项国内专利，发表近200篇期刊论文。她在报告中介绍了基于固体电解质的RRAM技术的机遇及挑战，以及目前国内关于这项技术的研究情况。

Cher-Ming Tan教授曾任教于新加坡南洋理工大学，并有丰富的电子工业工作经验。先后发表超过260篇国际期刊和会议文章，拥有10项专利，著有5本著作。他的主要研究方向包括电子元件和系统的可靠性和失效物理模型、锂离子电池和高功率发光二极管的可靠性、纳米材料和器件的可靠性等。在报告中，Tan教授分别以数字、模拟和RF电路为例，展示了电路级的电迁移模型以及实现这些模型的方法。

荆凤德教授主要从事高K CMOS器件、闪存、氮化镓MOS场效应管、射频硅器件及集成电路、光电、薄膜器件等领域的研究。他从基本物理公式Q=CV & PAC=CV2f/2出发，介绍了利用高K技术、器件设计、3D IC等方面解决IC芯片功耗问题的方法。

香港城市大学Hei Wong教授曾任IEEE ED/SSC香港分部主席，同时也是多个国际和香港本地委员会委员。他致力于MOS器件模型和特征、热电子效应、介质薄膜物理、IC工艺模型和特征、MOS集成电梯设计和固态传感器等方向的研究，发表文章超过360篇，著作4本。Hei Wong在报告中介绍了纳米CMOS技术下，器件制造过程中的热处理工艺引起的界面反应以及对超薄EOT栅介质薄膜的影响。

电子科技大学刘俊杰教授在学术报告中，通过众多事例分析了ESD的重要性进行，介绍了ESD设计中的模型、保护方式、测试方法和设备，并结合所从事的项目研究介绍了在Si CMOS、Si BiCMOS、GaAs、GaN以及新兴技术中ESD的设计和最佳解决方案。