宜普展示采用氮化镓场效应晶体管可提高无线电源传送效率达20%

硅基增强型功率氮化镓（eGaN）功率晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司于亚太区业界技术研讨会进行了三场技术演讲。

于3月18日在上海举行的两场业界研讨会中，宜普公司技术专家与观众分享了更高效的氮化镓（GaN）功率器件如何替代陈旧的硅MOSFET器件，并如何在无线电源传送（WiPo）应用取得更高性能。多个提高性能的范例包括在一个全新功率转换设计中提高效率达20%，及另一个设计在6.78 MHz的ISM频带下工作并使用松散耦合线圈，可传送高达30W功率。

于4月10日宜普公司的首席执行长及共同创办人Alex Lidow博士将于宽能隙电力电子国际研讨会演讲，议题为“利用氮化镓击败硅技术”。Lidow希望借着这个促进技术合作和知识交流的机会与工程师分享全新应用、目前市场上最新的产品信息、氮化镓技术未来发展的路线图及氮化镓与功率MOSFET、碳化硅器件的相对竞争力的比较。