恩智浦半导体将参加上海微波展并做技术报告

2010年11月2-4在上海光大会展中心,由中国电子学会主办的IME/China第五届微波及天线技术展览会，正吸引国内外众多新老客户的参加。

日前业界领先企业恩智浦半导体确认将出席本次盛会,并举办两场主题为“为中国无线通信市场提供高性能射频链路解决方案”的技术研讨会。

 

主讲人：Kees Schetters    职务：国际市场营销经理

主讲人：David Boylan      职务：国际市场营销经理

内容概要：着重介绍NXP最新的SiGe:C工艺为中国多重半导体市场开发的新产品，这些产品以硅工艺的价格提供砷化镓工艺的性能，并带来更多集成化选择和更好的可靠性和一致性。

 

恩智浦目前已有10多种硅锗产品上市，采用其QUBIC4技术开发并售出的射频产品已超过2500万件。此销售业绩彰显了恩智浦QUBIC4工艺的技术成熟度以及行业对SiGe:C工艺实现GaAs技术性能的认可度。作为射频技术和器件设计领域的全球领导者之一，恩智浦致力于SiGe:C技术的产品开发，适应射频、微波市场的飞速发展。我们将借助采用硅基工艺，努力为市场提供具有砷化镓(GaAs)技术的性能、高性价比、高集成度的高频解决方案。

恩智浦创新的高性能SiGe:C QUBiC4工艺可以让无线设备制造商增加更多设备功能，同时更节省空间、更节约成本、性能更可靠以及制造更方便。QUBiC4技术加快了从GaAs技术向硅芯片技术的转移速度，实现了高技术含量,低噪声特性和IP可用性。恩智浦提供了三种不同的QUBiC4工艺：QUBiC4+，针对小于5GHz应用的硅基工艺，如中功率放大器；QUBiC4X，一种0.25?m SiGe:C 工艺，大约6年前推出，常用于高达30GHz和极低噪声应用，如GPS；以及最新推出的0.25?m QUBiC4Xi SiGe:C工艺，特征频率（Ft）超过200GHz，特别适合30GHz以上以及要求极低噪声系数的应用，例如VSAT和雷达应用。

恩智浦的QUBiC4 SiGe:C技术拥有量产所需的完善IP和先进的内部制造工艺，可以提高整体射频性能，降低器件成本，同时提供比砷化镓(GaAs) 技术更高和更灵活的性能。凭借超过45年在射频建模、设计和封装方面的丰富经验，恩智浦的QUBiC4技术将砷化镓(GaAs)技术的高性能与硅基工艺的可靠度完善溶合在一起。随着高速数字数据传输和无线通信技术的持续发展，恩智浦的QUBiC4技术将推动传统的砷化镓(GaAs)技术解决方案不断向前发展，实现更低成本、更高集成度和更多功能，同时满足低功耗需求。

基于QUBiC4技术的产品涵盖移动平台、个人导航设备、有源相控阵雷达、卫星DBS/-VSAT、电子计量、软件无线电(SDR)技术、基站、点对点无线链路以及无线局域网WLAN等广阔领域，这些都是高频和高集成度至关重要的领域。终端用户的受益之处则在于手机变得更小巧,更轻便而功能却不断增加。

 

恩智浦半导体以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长，提供高性能混合信号（High Performance Mixed Signal）和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司总部位于欧洲，在全球超过25个国家拥有27,000名员工，2009年公司营业额达到38亿美元。

若您对本次研讨会感兴趣，请点击http://www.imwexpo.com/siteengine.php?do=zh-cn/bmbg注册成为听众，我们将为您预留席位！

 

由中国电子学会主办的IME/China 2010第五届微波及天线技术展览会将于2010年11月2-4日继续在上海光大会展中心隆重举行。

作为中国最具规模的微波及天线国际盛会，IME/China汇聚了来自中国、美国、德国、日本、新加坡、法国、比利时、英国、韩国、爱尔兰、瑞士等国家及台湾、香港地区的微波及天线行业知名厂商参加；数千名专业观众参加了展会。作为展会的一大特色，同期举办多场内容丰富、技术含量高的技术研讨会。

立足中国，展望整个亚太地区，IME/China2010是您不可错过的微波领域行业盛会! 期待贵司的参加!