美国Cree公司展示X波段雷达产品

提供碳化硅上氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT）和单片微波集成电路（MMIC）的美国Cree公司，在班加罗尔12月15–19日举行的2015国际印度雷达研讨会（IRSI-15）上，将展示用于L、S、C、X波段雷达的氮化镓射频器件。

创建于1983年，恢复于1999年作为每2年一次的会议，IRSI技术会议汇集最尖端的技术和专题报告，除了雷达信号和阵列处理、跟踪和数据处理，以及图像和气象雷达外，会议内容还包括：雷达系统、接收机、天线、阵列、控制器、处理器、软件、设备、部件，发射机、建模和仿真。IRSI展览展示了子系统产品、模型、图片、模块和多媒体演示。

在C-28 展位上，将展出用于L、S、C、X波段雷达的氮化镓射频器件。这包括CMPA801B025 X波段GaN MMIC功率放大器（额定功率为25W，操作频率8.5–11.0 GHz）用于脉冲雷达和宽带连续应用，其特点是37W典型POUT，功率增益16dB，功率附加效率（PAE）为35%。IRSI会展将给Cree公司提供一个宝贵机会，介绍先进氮化镓射频器件，世界级设计辅助、验证的制造工艺和测试，以及国际客户支持服务以影响美国雷达行业的成员。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所  黄庆红）