国民技术：TD-LTE射频芯片前景可期

国民技术近日发布年报表示，受U盾单价及毛利润下滑影响，尽管销售数量同比上升，但收入略有下滑，公司2012年报表稍显黯淡，不过报告称，公司支持多模多频段的TD-LTE终端射频芯片已经开始量产，并对中移动小批量出货。分析人士认为，随着4G建设的推进，公司有望获得更多订单。

据了解，公司目前还承担2013年国家重大专项“面向TD-CDMA/TD-LTE/TD-LTE-Advanced的多模终端射频功率放大器（PA）芯片研发”，正在研发高效率的WCDMA PA系列。

国民技术是工信部TD-LTE 工作组成员、中国移动4G 合作伙伴，并通过了中国移动以及电信研究院组织的TD-LTE 研发技术试验和规模技术试验。公司TD-LTE 射频芯片具备技术领先等多项优势，能够适应TD-LTE 多频段的特点，尤其是在政务专网市场具有优势。借助射频芯片的优势，公司也开发了相关的终端设备产品。在中国移动2013 年第二季度TD-LTE 终端集采中，公司中标MIFI 模组且排名居前。但由于中国移动采购总量有限，该产品对公司2012年业绩贡献不大。

国民技术表示，未来，公司将充分把握4G 发展的机遇，继续以开放的态度与LTE 产业链各厂家紧密配合，开发支持多模多频段、低功耗、高速率的LTE 终端产品。