联华电子与SuVolta联合开发28纳米低功耗工艺技术

联华电子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 与SuVolta公司宣布联合开发28纳米工艺。该项工艺将SuVolta的Deeply Depleted ChannelTM(DDC)晶体管技术集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate(HKMG)高性能移动(HPM)工艺。SuVolta与联华电子正密切合作利用DDC晶体管技术的优势来降低泄漏功耗，并提高SRAM的低电压性能。

这两家公司还宣布该工艺技术将提供高度灵活的采用方式：
“DDC PowerShrink低功耗平台”选项：所有晶体管都使用DDC技术以实现最佳功耗与性能优势
“DDC DesignBoost晶体管调换”选项：用DDC晶体管取代现有设计中部分晶体管。该选项的典型应用是用DDC晶体管取代泄漏功耗大的晶体管来降低泄漏，或者取代SRAM位单元晶体管从而提高性能并降低最低工作电压(Vmin)

联华电子先进技术开发部副总裁游萃蓉表示：“在接下来的几周或者几个月，我们期待看到联华电子与SuVolta联合开发的技术有良好的结果，从而进一步验证DDC技术为我们的28纳米HKMG工艺带来的功耗与性能优势。通过将SuVolta的先进技术引进到我们的HKMG工艺上，联华电子将提供28纳米移动计算工艺平台，以完善我们现有的Poly-SiON及HKMG技术。”

SuVolta总裁兼首席执行官Bruce McWilliams博士表示：“联华电子与SuVolta团队继续将DDC技术集成到联华电子的28纳米工艺，取得优秀的进展。通过合作，我们开发的工艺使得联华电子客户的设计易于移植。此外，SuVolta为业界提供选择，以替代昂贵而复杂的工艺技术，从而推动未来移动器件的发展。”

关于联华电子
联华电子(NYSE: UMC, TWSE: 2303)是全球半导体晶圆专工业界的领导者，提供先进工艺与晶圆制造服务，为IC产业各项主要应用产品生产芯片。联华电子完整的解决方案能让芯片设计公司利用尖端技术的优势，包括28纳米Poly-SiON技术、High-K/Metal Gate后闸极技术、混合信号／RFCMOS技术，以及其它涵盖广泛的特殊工艺技术。联华电子现共有十座晶圆厂，其中包含位于台湾的Fab 12A与新加坡的Fab 12i等两座12英寸厂。Fab 12A厂第一至四期目前生产最先进至28纳米的客户产品，第五、六期已在兴建阶段，第七、八期则已在规划当中。联电在全球约有超过15,000名员工，在 台湾、中国大陆、欧洲、日本、韩国、新加坡及美国均设有服务据点。

关于SuVolta公司
SuVolta公司致力于开发和授权应用于低功耗高性能芯片的可微缩半导体技术。SuVolta公司总部位于硅谷，并拥有一批世界一流的工程师和科学家，在技术研发和创新方面具有悠久的历史，并推动半导体行业的发展。SuVolta公司获得了包括Kleiner Perkins Caufield & Byers (KPCB)，August Capital, NEA, Bright Capital, Northgate Capital以及DAG Ventures等主导风险投资公司的支持。