能讯微电子先进氮化镓微波功率半导体量产项目

1.1 概要

　　本项目是利用具有知识产权的先进的氮化镓微波功率半导体设计与制造技术，在中国建设一个月处理3寸氮化镓晶圆500片的氮化镓器件工厂，这将是中国第一家氮化镓微波功率器件设计制造企业，也是全球最领先的氮化镓微波功率器件供应商之一。

　　本项目计划投资2.6亿元人民币，建设期为2年。

　　公司采取整合设计与制造(IDM)的商业模式。

　　公司已经成功开发了多种氮化镓微波功率器件产品。公司已经向客户进行样品投放并获得了订单意向。

　　本轮融资是西安能讯微电子有限公司的第二轮融资。

1.2 能讯微电子简介

　　能讯微电子是由留美归国团队于2006年9月创办的一家高新技术企业，目前实收注册资本为3000万元。公司总部位于西安高新区。能讯微电子是中国第一家第三代半导体氮化镓微波功率器件制造企业。公司已经建设并运营了一条中试生产线，公司已经通过ISO9001:2008质量管理体系认证。

　　公司采取垂直整合设计与制造（IDM）的商业模式，自主开发第三代半导体氮化镓材料、器件设计和制造工艺技术，生产基于氮化镓(GaN)的高功率密度微波功率器件，提供高性能的放大器解决方案。这些器件是3G、WiMAX 和 LTE等移动通讯及无线数据基站设备、军事防卫整机如：雷达、干扰、反措施、通信、制导武器以及广播和通信卫星整机等应用领域的射频部件的关键元件。采用本公司放大器可以比以往器件提供更高的效率，并在单一放大器上实现更宽的频段输出，从而提高系统效率，降低系统复杂程度并提升系统性价比。

　　能讯微电子以成为领先的高能半导体供应商为使命。

1.3 核心技术

　　由国际领先的研发团队带领，经过四年时间以及6000万人民币投资在本土进行的产品研制与中试开发，西安能讯微电子有限公司已经完全掌握了氮化镓核心技术，包括材料生长技术、器件设计技术、制造工艺技术、器件封装技术以及应用电路技术。围绕这些核心技术，公司拥有了10项国内发明专利、4项实用新型专利和1项国际发明专利申请（PCT）。

　　氮化镓功率器件技术在国内目前属于空白，中国还没有企业具有生产此类产品的技术能力。公司先后承担了国家级、省部级科技项目如下：

　　（1）国家重大科技专项“核高基” ：核心电子器件专项之C波段氮化镓器件项目；
　　（2）2009年国家发改委“中央投资电子信息产业振兴和技改项目”；
　　（3）2008年度科技部“中小企业创新基金”项目；
　　（4）2007年陕西省重大科技创新项目；
　　（5）2007年西安市高新技术产业发展专项重大项目；

1.4产品

　　能讯的微波功率器件产品形式可以分为三种形式：无匹配的晶体管芯片、经过匹配后封装的放大器件以及单片微波集成电路。能讯微电子目前计划在以下市场投放产品：

　　（1）用于商用无线通信（3G/LTE等）基站的功率放大器(BS系列)；
　　（2）用于雷达的功率放大器（RA系列）；
　　（3）用于宽频带通信的放大器(WP系列)；
　　（4）用于电子对抗的宽频带放大器(EW系列)；
　　（5）用于卫星通信的放大器(SC系列)。

　　能讯微电子的氮化镓微波功率器件产品能够带给客户的价值体现在四个方面：

　　（1）更高效率：降低运行成本，提高功率密度并减小尺寸，最终降低总拥有成本；
　　（2）更高带宽和更好的线性度：更好的通用性，用更少的器件实现全频率带宽覆盖，减少开发成本；
　　（3）更高的偏置电压：用更小的电流实现同等功率的输出，降低热损，从而降低热管理成本；
　　（4）更高的节温：提升可靠性，延长MTTF，同时也减少了散热需求，从而降低系统整体成本。

1.5市场与竞争

　　能讯微电子的产品潜在市场非常广阔而且正在高速增长之中。Data beans在《2010 Wireless Semiconductors》报告指出，全球无线半导体为仅次于计算机半导体的第二大半导体市场，其中功率放大器、收发器以及低噪声放大器市场在2010年将实现为148亿美元销售，未来五年间预测将以CAGR 9%成长。

　　目前，硅基的LDMOS器件占据了功率放大器市场的90%市场份额，而剩余的10%则被砷化镓pHEMT技术所占领。然而，氮化镓HEMT的兴起将打破这种平衡，市场调查机构Yole Developpement预计2010年氮化镓微波功率放大器就可以实现1亿美元的销售。

　　由于能讯公司的氮化镓功率器件切入市场的策略是先瞄准硅功率器件性能无法达到的市场，因此氮化镓功率器件将面临硅工业不断改进的竞争压力，同时也需要与看到这一趋势的世界范围内其他氮化镓功率器件同业者开展竞争。目前，能够提供氮化镓大功率微波器件的厂商只有5家，分别是Cree、Sumitomo(原Eudyna)、Triquint、RFMD和Ntronix。与这些厂商相比，能讯公司的优势如下：

　　（1）成本优势。因为GaN前期开发的成本极其巨大，现在市场上进口产品的绝大部分价格包含的是这方面的成本。能讯的这一过程已用非常低的投入完成了。
　　（2）周到和及时的服务。国外供应商在中国的代理无论是在技术水平和规模上都无法和本土企业在这方面比拟。另外，能讯能够根据国内厂商的具体要求有针对性的开发其需要的产品。
　　（3）技术支持。能讯公司可以利用本土优势，帮助下游客户加强对器件技术的更深的理解，这将有助于客户深挖器件潜力，开发出更有竞争力的设备产品。出于技术保密以及禁运的因素，国外厂商往往无法达到能讯的技术支持力度。

　　因此，公司管理层制定了如下的市场目标：成为中国最大的氮化镓电子器件厂商；公司第一规模工厂稳定量产后实现年销售收入17.9亿元人民币，预计占全球氮化镓微波市场的8%，占中国市场33%以上。

1.6 核心团队

　　能讯的核心团队成员曾在美国著名的半导体公司工作多年，有着丰富的半导体器件设计制造及管理经验。简要介绍如下：

　　张乃千 博士

　　公司创始人，CEO。张乃千博士拥有十多年氮化镓科研与工业界经验，是世界上最早研究射频功率氮化镓电子器件的人员之一。毕业后张博士加入全球最大的射频半导体生产厂家RFMD公司，后任基站产品开发主管，2006年加入Bourns公司任先进半导体技术经理。张博士有着丰富的GaN器件设计开发经验，其发明的GaN器件表面钝化技术和栅场板技术已成为GaN电子器件的标准制造工艺。他1999年研制出世界第一个GaN电力电子器件，至2007年回国，期间多次刷新其耐压记录。张乃千拥有美国UCSB电子工程学博士学位，于1995年毕业于清华大学电子工程系微波专业。

　　任勉 MBA

　　公司创始人，首席运营官。具有15年企业管理与商业拓展经验。AGTC公司前副总裁。任勉先生拥有北京大学MBA硕士学位及美国杜克大学Fuqua 商学院全球管理认证。

　　裴轶 博士

　　公司创始人，器件技术总监。裴先生专注于GaN器件的设计与制造工艺，是多项氮化镓器件性能世界纪录保持者。他发表过五十多篇GaN研究论文，拥有5项发明专利。美国UCSB电子工程学博士，早年毕业于北京大学。

1.7 项目财务预测以及融资需求

　　经估算，本项目总投资为2.6亿元人民币，其中建设投资2.4亿元，流动资金2000万元。建设投资包括：工程费用及辅助设备费用8874万元、设备购置及安装费用11780万元、其他费用2950万元、预备费用396万元。

　　本项目投资内部收益率为54%，财务净现值69,797万元，项目投资回收期为5.04年。

　　本项目投资内部收益率为54%，财务净现值69,797万元，项目投资回收期为5.04年。

1.8公司前景展望

　　第三代半导体氮化镓器件技术是未来无线通信与功率电子的关键技术，处于信息产业链的高端，对我国电子产业特别是国防电子工业的发展具有重大战略意义，具有广阔的市场空间。由于发达国家对中国的技术进口壁垒以及过去技术基础薄弱的原因，中国微波功率器件绝大多数需要进口。能讯微电子自主拥有全球领先的氮化镓器件设计与制造工艺技术，填补了中国的产业空白，具有良好的发展前景。

　　全球能源需求的不断增长以及环境保护意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势。节能降耗所创造出来的市场机会为新技术的迅猛发展正召唤划时代半导体的出现，氮化镓的商业应用也接近收获期。本项目的投入能够利用世界先进的氮化镓技术建立先进半导体制造企业，在产品生命周期中处于高额利润的区段，投资回报率高。

　　公司是资本与技术密集型的企业，本项目的投资将带动相关行业的兴起，具备较强的产业关联度，对区域产业结构的调整起到引领作用，从而增加政府对企业的关注与支持。