RFMD增加GaAs技术 扩展晶圆代工服务

RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布该公司已增加其砷化镓(GaAs)技术至RFMD的晶圆代工服务内容，并开始为Foundry Services事业部的客户提供全套的砷化镓 pHEMT 技术。

RFMD将提供针对高功率、低噪声和 RF 切换产品而优化的三种不同 GaAs pHEMT 技术。RFMD的0.3微米 pHEMT 技术可提供高功率，并针对 X-band 相位式数组功率放大器(PA)和8-16 GHz的宽带军事电子战干扰器而优化。

RFMD的0.25微米 pHEMT 技术可提供低噪声、中功率、高线性度，锁定之应用包括低噪声前端和发射器 MMIC 。0.6微米 pHEMT 技术则提供低噪声和射频讯号高线性切换，是专为无线前端和发射/接收模块应用而设计。

RFMD目前提供Foundry Services的客户北卡罗来纳州格林斯博罗晶圆厂的两项 RFMD的氮化镓(GaN) 制程技术，分别为锁定高功率应用的 GaN1 与锁定高线性度应用的 GaN2 。RFMD并提供一个整合式被动组件(IPC)技术优化来配合高功率应用。RFMD的先进 GaAs pHEMT 技术与其氮化镓技术，和其他电源半导体技术互补，以设计多芯片模块(MCM)。

RFMD Foundry Services事业部的成立，旨在为外部晶圆代工客户提供实时的高可靠性、高性能和具价格竞争力的制程制程技术。所有的制程技术都是由RFMD位于英国的Newton Aycliffe 厂制造，让RFMD Foundry Services 客户可透过简易的欧洲进/出口管制，取得欧洲技术的方式。
 
关于 RFMD
 
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代码：RFMD）堪称在高性能半导体元件的设计与制造方面的全球领先厂商之一。 RFMD 的产品可实现全球移动性，提供更高的连接能力，以及支持蜂窝手机、无线基础设备、无线局域网 (WLAN)、有线电视网络、航空及国防市场中的高级功能。 RFMD 因其多样化的半导体技术以及RF 系统专业技能而得到业界的认可，并且是受全球领先移动终端及通讯设备制造商所青睐的供应商。
 
RFMD 总部位于北卡罗来纳、格林斯博罗，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为 RFMD。有关更多信息，请访问 RFMD 网站：www.rfmd.com。