ROHM低损耗、高耐压SiC的肖特基二极管正式开始量产

半导体制造商罗姆股份公司最近推出拥有低损耗、高耐压特性而备受瞩目的新世代功率元件SiC材料的肖特基二极管“SCS110A系列」开始量产。

“SCS110A系列」比其他厂商量产的碳化硅肖特基二极管在顺向电压及导通阻抗方面获得改善，适合使用在电动汽车（电动汽车）/戊型肝炎病毒（电动汽车混合油）及空调等需要进行功率转换的逆变器，转换器，功率因数校正电路（功率因素校正电路）等多种用途。
此新产品已于2010年年4月下旬开始量产出货，并随着需求增加逐渐扩大产能。制造工程方面：晶圆制造在SiCrystal公司（德国埃朗根市），前段制程在罗姆阿波罗装置股份公司（日本福冈），后段制程在罗姆（泰国）有限公司综合系统（泰国）进行。

近年来在，电力电子技术方面，半导体元件造成功率转换时的损耗逐渐形成问题，从环保观点也促使对于较矽材料更低损耗的碳化硅功率元件的研发推展。罗姆领先潮流于2004年年成功完成碳化硅MOSFET的样机已完成，连接碳化硅肖特基二极管及由以上元件所构成的电源模组试作成功。领导业界完成碳化硅元件及模组的研发。碳化硅的肖特基二极管在2005年年开始工程样品出货，并从客户的资讯回馈努力改善可靠度及制造性。而为了确保高品质的碳化硅晶圆供应，罗姆并购了德国SiCrystal公司，完成了碳化硅元件的一贯化制造体制。

　　这次开始量产的「SCS110A系列」的反向回复时间（TRR核反应器），小数量15nsec比一般矽材质快速回复二极管（35nsec〜50nsec）相比大幅缩短回复时间，回复时的损耗也降到仅1 / 3。依此特性，若使用在相反，转换器，PFC的电路，损耗大幅降低发热量也跟着减少。与矽材质的FRD相比，特性随温度变化极少，能使用较小的散热片。与之前的碳化硅制肖特基二极管比较，具有TRR核反应器特性改善、晶片尺寸缩小15％等各种优点。

在量产化方面，肖特基接触屏障的均匀性、不需高温处理的高阻抗防护环（保护环）层成形等曾经是技术瓶颈的问题也获得解决，顺利完成社内一贯化生产体制。和之前量产的碳化硅肖特基二极管相比，藉由降低操作时的阻抗值，其顺向电压也随之降低（= 1.5V的室颤（标准值）10A条时）与温度特性更优良，大幅提升性能达到高效率。

• 反方向充电恢复（的QRR）非常小，高速开关可能
• 稳定的温度特性
• 温度并不会影响TRR核反应器（反型恢复时间）的表现
• 当前和时间