使用石墨烯作为透明导电膜最近一直受到热烈的追捧，很大程度上是因为它提供了一个潜在的氧化铟锡（ITO）的廉价替代物，而氧化铟锡的供应瓶颈似乎迫在眉睫。
还不清楚光伏制造商们是否已有兴趣用石墨烯替代透明导电膜。这种缺乏的兴趣，在一定程度上可能是缺少对连接硅时石墨烯是否保持高载流子迁移率吸引特性的研究结果。
现在，德国亥姆霍兹中心柏林(HZB)研究所的研究人员表明，即使与硅配对，石墨烯仍不失去其令人印象深刻的导电特性。
“我们研究了石墨烯合成到若干层类似于硅基薄膜太阳能电池后，导电特性的变化。惊奇地发现，这些属性其实变化不大，”HZB硅光电研究院的Marc Gluba在一份新闻稿中称。
这项研究发表在《应用物理快报》上（“嵌入石墨烯进行大面积硅基设备”），通过化学气相沉积在一个铜片上生长石墨烯，接着转移到玻璃衬底上，然后覆盖一层很薄的硅。
研究人员采用两种薄膜技术中常用的不同形式的硅：非晶硅和多晶硅。在这两种情况下，尽管硅的形态完全不同，石墨烯仍然可以检测得到。
“这是我们没想到的，我们的研究结果表明即使涂了硅，石墨烯仍然是石墨烯，”项目另一位研究人员Norbert Nickel在一份新闻稿说。
在他们的测量中，研究人员确定了石墨烯层的载流子迁移率约为常规锌氧化物接触层的30倍。
尽管研究人员承认，石墨烯基接触层连接外部是困难的，但也引起了他们薄膜技术同事的兴趣。
（中国航空工业发展研究中心 胡燕萍）
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