成都浩瀚芯光微电子科技有限公司新推出一款0.3GHz~9GHz 超宽带双向放大器芯片HMF031,芯片内部集成开关和低噪声放大器,开关采用 0/-5V控制工作状态切换,低噪声放大器采用单电源供电,典型工作电压为VD=+5V。芯片的接收和发射两种工作状态下性能指标基本一致,1dB压缩点输出功率典型值为 14dBm,噪声系数典型值为3.5dB。
该芯片采用境内国产工艺制造,能够满足国产化需求。
性能特点
▪ 频率范围:0.3GHz~9GHz
▪ 增益:27dB
▪ 1dB压缩点输出功率:14dBm
▪ 噪声系数:3.5dB
▪ 输入回波损耗:-15dB
▪ 输出回波损耗:-15dB
▪ 芯片尺寸:2.8x3.0x0.1mm3
电性能表(TA=+25℃, 50Ω system)
典型测试曲线
1dB压缩点输出功率(25℃)
RF1-RF2通道1dB压缩点输出功率
噪声系数(25℃)
RF1-RF2通道噪声系数
小信号增益(25℃)
RF1-RF2通道小信号增益
参考电路
使用说明:
1、芯片优先采用金锡烧结,确保散热和接地良好;
2、射频端口采用2根直径为25μm的金丝键合,建议金丝长度400μm~600μm;
3、直流供电采用单偏置供电,采用1000pF芯片滤波电容和10μF陶瓷滤波电容。
外形尺寸及真值表
说明:
1、单位:μm
2、芯片背面镀金接地
3、RF压点尺寸:150μmx100μm
4、VD1和VD2压点尺寸:200μmx150μm,其它压点尺寸:100μmx100μm
5、外形尺寸公差:±50μm