Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN系统级封装

系统级封装可以为USB-C PD适配器和其他低功耗应用提供结构紧凑、经济实惠、快速面市的解决方案

Transphorm将参加2023年应用电力电子会议，展位号为853

高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与适配器USB功率输出(PD)控制器集成电路(IC)的全球领导者伟诠电子(Weltrend Semiconductor Inc., TWSE: 2436)近日宣布，双方合作推出首个GaN系统级封装(SiP)。

WT7162RHUG24A是一种集成电路，设计用于为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他智能设备充电的45至100瓦USB-C PD电源适配器。峰值功率效率超过93%。器件样品将在2023年第二季度推出。

除了向市场推新之外，此项公告还标志着伟诠电子取得另一项重大成就。现在新推出的GaN SiP展示了伟诠电子对交流转直流电源市场的承诺。他们使用Transphorm的SuperGaN®技术，提供了一个完整的系统解决方案。对Transphorm来说，这也是一次良好的证明，确认其GaN器件的接口简易性和卓越性能。

Transphorm将在2023年应用电力电子会议(APEC)上首次展示伟诠电子SiP，展位号为853。这两家公司还将在会议期间发布有关WTDB_008 65W USB PD电源适配器评估板的详细信息。

伟诠电子总经理林崇焘(Tony Lin)表示：“WT7162RHUG24A是业界首次公开发布的采用Transphorm GaN的SiP。它能使制造商开发出成本更低的系统解决方案，因为此解决方案需要的器件更少，而且可以使用更小的PCB，还具有其他优点，还能减少系统开发时间。我们正在高效地帮助适配器制造商消除设计障碍。值得注意的是，凭借此产品，伟诠电子可以进入一个新的市场。这是我们的PWM控制器有史以来的首个SiP，证明了我们对支持大批量增长领域的承诺。而且，通过与GaN FET的集成，我们已经提高了性能输出水平。这是伟诠电子、Transphorm和我们共同客户的一次共赢。”

Transphorm总裁兼首席运营官Primit Parikh表示：“适配器快充市场是目前GaN应用的一个快速增长领域。我们正在扩大市场份额，并继续创新，最近推出的这款GaN SiP将使我们的GaN器件更易使用。我们很高兴能将业界领先的SuperGaN平台与伟诠电子的创新型适配器电源控制器技术结合起来。伟诠电子提供了一个领先的功率转换平台，可以为适配器/快速充电器客户打造一个简单易用的解决方案，两家公司都可以利用这个平台来加速赢得这个市场。”

WT7162RHUG24A的规格和特点

新推出的SiP集成了伟诠电子的WT7162RHSG08多模式反激式PWM控制器和Transphorm的240毫欧650伏SuperGaN® FET。此表面贴装器件采用24引脚8x8 QFN封装，可减少印刷电路板尺寸。其他主要规格包括：

▪  峰值功率效率：> 93%

▪  功率密度：26 W/in3

▪  宽输出电压操作：USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V

▪  最大频率：180kHz

▪  目标拓扑结构：QR反激模式/谷值开关多模操作

主要特点包括：

目标应用和供货信息

WT7162RHUG24A SiP适用于高性能、小体积USB-C电源适配器，可用于移动/物联网设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、耳机、无人机、扬声器、相机等。