稳懋发布0.12μm RF GaN on SiC技术

全球知名砷化镓晶圆代工大厂稳懋半导体股份有限公司推出全新的0.12μm GaN-on-SiC技术，扩大其射频GaN技术组合。NP12-01毫米波(mmWave) 技术提供了更高的增益和更高的晶体管稳定性因数。NP12-01技术适用于5G毫米波无线接入网络、卫星通信和雷达系统中使用的高功率放大器。

NP12-01平台支持全单片微波集成电路 (MMIC)，允许客户开发高达50GHz的紧凑型线性或饱和功率放大器。该工艺适用于28V操作，并在29GHz频段产生超过4W/mm的饱和输出功率，线性增益为13.5dB，效率接近50%。当针对功率附加效率 (PAE) 进行优化时，NP12-01在29GHz提供超过3.5W/mm的输出功率和超过50%的PAE。

NP12-01平台提供的更高增益和功率附加效率为设计人员提供了更大的发挥空间，以优化放大器性能和芯片尺寸，以满足新一代通信平台和雷达系统日益苛刻的技术指标。根据功能，这些高性能应用需要精确优化输出功率、线性度、增益和效率，而广阔的权衡空间对于平衡放大器性能和产品成本至关重要。