Cree|Wolfspeed推出先进X-波段雷达器件，赋能高性能射频功率解决方案

四款新型GaN-on-SiC MMIC 器件，助力设计人员改进射频系统尺寸、重量和功率

全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，Cree | Wolfspeed于近日推出四款新型多极碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）单片微波集成电路（MMIC）器件，进一步扩展射频（RF）解决方案范围，适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波X-波段相控阵应用。

通过采用Wolfspeed GaN-on-SiC 技术，这些新型器件能够在小型且行业标准封装内提供高功率附加效率（PAE），从而助力设计人员能够在更小型的系统中实现性能的最大化，且功耗更少。

Cree | Wolfspeed 负责foundry 和航空航天业务的高级总监Jim Milligan表示：“Cree | Wolfspeed 新型X-波段器件为设计工程师提供了丰富的选项，适合要求在苛刻尺寸内实现高效率发射解决方案的系统，例如在有源相阵控雷达应用中所需要的那些。通过采用Wolfspeed GaN-on-SiC 解决方案，将赋能实现关键射频系统所要求的更小尺寸、更轻重量、更高功率（SWaP）、以及性能达到新的高度。”

丰富的X-波段产品组合提供支持多级增益的解决方案，从而减少发射链路中所需要的器件数量。它们包括了不同的功率等级以优化系统性能，并提供多种平台以优化系统架构。浏览表1，了解更多产品细节和性能数据。

新型的放大器，继续扩大了产品组合。它们优异的性能展现了Cree | Wolfspeed 数十年的GaN-on-SiC 专业技术沉淀，助力支持航空航天等市场。同时这也体现了致力于开发出适用于广泛射频应用的创新型、业界领先的氮化镓（GaN）解决方案的不懈追求。

表1

备注：以上所列所有器件ECCN均为3A001.b.2

关于科锐Cree, Inc.

30多年以来，科锐作为碳化硅技术和生产的全球领先企业，在全球范围内引领从硅到碳化硅的转型。客户凭借Wolfspeed 产品组合，开发出颠覆性的技术解决方案，为电动汽车、快速充电、5G、电源、可再生能源和储能、以及航空航天和国防等应用提供支持，以实现一个更高效和可持续的未来。我们的团队致力于推动技术领域的重大转变，并且把公司打造成强大的全球性半导体企业。关于公司和产品的更多信息，敬请访问：www.cree.com。