Gotmic发布毫米波预失真PA和SMD产品

毫米波（30-300GHz）具有波长短，体积小、超宽带、通信速率高等特性，在5G移动通信、安检成像、汽车雷达，机场跑道异物检测、气象雷达、辐射计、天文探测等领域备受关注。Gotmic采用GaAs pHEMT工艺线，相对于CMOS等工艺，GaAs具有工艺成熟、输出功率高、噪声系数低等优势。

1、V Band超短距离通信

60GHz处于大气衰减的峰值，不利于传输，这是一把双刃剑，同时带来保密性强、对周边干扰小、可实现短距离重复覆盖等优势。

图1：V波段超短距离通信

gTSC0020，多功能Tx发射芯片，内部集成了IQ混频器、6倍频器、衰减器、驱动放大器和功率检测功能。频率覆盖52-72GHz，IF范围DC-12GHz，镜像抑制25dB，增益22dB，动态范围大于25dB，P1dB高达+20dB。

gRSC0016，多功能Rx接收芯片，内部集成了IQ混频器，6倍频器，衰减器和低噪声放大器。频率覆盖52-72GHz，IF范围DC-12GHz，噪声系数低至4dB。

gAPZ0038，中等功率放大器，频率52-72GHz，增益22dB，Psat=+22dBm。
gAPZ0039，功率放大器，频率52-72GHz，增益19dB，饱和输出+25dBm。
gANZ0031，高增益、高线性度、低驻波的低噪声放大器，NF=3.5dB。

2、E Band毫米波通信

图2：E波段通信方案

gTSC0023，多功能Tx发射芯片，集成混频器、6倍频、衰减器、驱动放大器和功率检测功能。频率71-86GHz，IF范围：DC-12GHz，增益14dB，动态范围20dB，镜像抑制25dB，输出功率大于+12dBm。

gRSC0012 和GRSC0013，多功能Rx接收芯片，集成低噪声放大器、混频器和6倍频器等。频率分别覆盖71-76GHz、81-86GHz，IF范围DC-12GHz噪声系数小于6dB。

gAPZ0041，E1波段功率放大器，增益25dB，饱和输出+27dBm；
gAPZ0051，采用预失真技术的E1波段功率放大器，增益20dB，饱和输出+28dBm
gAPZ0042，E2波段功率放大器，增益20dB，饱和输出+25dBm以上。
gAPZ0052，采用预失真技术的E2波段功率放大器，增益20dB，饱和输出+28dBm

3、采用预失真技术的功率放大器

功率放大器一直是毫米波通信的难题。Gotmic依托跟瑞典查尔姆斯大学的紧密合作，研发了具有预失真功能的E波段功率放大器芯片，GAPZ0051和GAPZ0052。该功放采用平衡式结构，具有高线性度、高效率、高功率、低驻波、平坦度好等特性。

在放大器前端加入产生预失真的电路，与后级功放产生的非线性失真互相抵消，从而降低放大器整体的失真，提高线性度。

图3：模拟预失真功放示意图

图4：E Radio系统测试模板要求（来自ETSI EN 302 217-2-2 V2.2.1）

从实际测试数据可以看到，在相同输出功率的情况下，采用预失真技术可以显著提高线性度，改善系统性能，或者说在同等线性度的情况下，可以提高系统的发射功率。

图5：实测数据，64QAM@76GHz，Pout=+17dBm RMS

功放小结

4、表贴的SMD产品

传统的毫米波chip芯片性能好，但需要金丝键合Bonding、对工艺要求高、一致性不好，不利于大批量生产。对于5G移动通信、超短距离通信等大批量应用场合，Gotmic推出了SMD表贴产品，体积大约14x10x4.5mm，从而大大简化了组装工艺、降低了成本。

图6：SMD产品结构图

产品包括:

·SMD多功能Tx、Rx产品，V/E波段；
·SMD功放PA产品，V/E波段；
·SMD多功能Tx+PA产品，即将多功能芯片和功放集成在一个SMD封装内。

关于Gotmic

Gotmic总部在瑞典，作为业界知名的毫米波供应商，专注于40-170GHz的芯片设计，提供完整的V/E波段毫米波解决方案，既包括高集成度的多功能芯片，也提供分立的放大器、混频器、倍频等。

关于上海馥莱电子

上海馥莱电子是Gotmic中国区总代理，作为一家专业的射频、微波毫米波产品供应商，致力于为客户提供电子元器件及完整的技术服务。专业的技术团队，行业资深的本土化团队，能够为客户从方案设计、样机生产调试、批量生产等各个阶段提供持续完整的服务。

公司将于2017年4月11-13日参加IME2017北京分会（展位号：165），欢迎新老客户莅临指导。