东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司近日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动，批量生产发货计划于3月中旬启动。

该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能，同时，其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB^[1]。而且，降低的单位面积导通电阻(RON x A)性能使新的650 v 0.29Ω产品可使用DPAK封装。该新系列产品适用于需要高效率和小体积的工业和办公设备电源、笔记本电脑和移动设备适配器和充电器以及电脑和打印机。

新MOSFET产品阵容及主要规格：

注：[1] 在150-210MHz，使用东芝评估板。东芝调查。

关于东芝

东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域：更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务；保持生活质量的基础设施业务；以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝竭力推动全球业务，并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。

东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业，全球拥有超过188,000名员工，年销售额逾5.6万亿日元（500亿美元）。（截至2016年3月31日。）