TI推出业界第一款80V半桥GaN FET模块

德州仪器(TI) 近日推出了业界第一款80 V、10 A 整合氮化镓(GaN) 场效应晶体管(FET) 功率级原型机，此原型机由一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET 组成—这些均在一个设计简单的四方平面无接脚(QFN) 封装内。

全新的LMG5200 GaN FET 功率级将有助于加快下一代GaN 电源转换解决方案的市场化，此方案在空间受限、高频工业应用和电信应用中提供更高的功率密度和效率。此功率级将成为48 V 数字电源示范的一大亮点。

TI 高压电源解决方案业务部副总裁Steve Lambouses 表示，GaN 型电源设计的一大障碍曾经是与驱动GaN FET有关的不确定性，以及由封装方式和设计配置布线所导致的寄生效应。TI 将提供采用先进、易于设计封装的经优化整合模块、驱动器和高频控制器所组成的完整、可靠电源转换生态系统给设计人员，帮助他们认识GaN 技术在电源应用方面的全部潜能。

实现GaN 的优势

一般情况下，使用GaN FET 在高频下进行开关的设计人员必须谨慎对待电路板配置布线，以避免振铃和电磁干扰(EMI)。TI 的LMG5200 双80 V 功率级原型机极大地简化了这个问题，而同时又透过减少关键闸极驱动回路中的封装寄生电感来增加功率级效率。LMG5200 特有进阶多芯片封装技术，并且在经优化后能够支持频率高达5 MHz 的电源转换拓扑结构。

易于使用的6 mm x 8 mm QFN 封装无需底部填充，进而大大简化了生产制造过程。缩小的封装尺寸更加充实了GaN 技术的应用价值，并且有助于将GaN 电源设计应用于许多全新应用，从高频无线充电应用到48 V 电信和工业设计。

LMG5200 的特性和优势：

· 最高功率密度:首款整合80 V 半桥GaN 功率级相较于硅工艺型的设计，其功率损耗可低25%，进而实现单级转换；
· 增加可靠性的综合GaN 专用质量保证计划: 如需了解更多内容，请按此处；
· 关键闸极驱动回路中的最低封装寄生电感增加了功率级效率并在减少EMI 的同时提高dV/dt 抗扰度；
· 经简化的配置布线和可制性: 易于使用的QFN 封装免除了底部填充的需要，以解决高电压间隔方面的顾虑，进而提高电路板的可制性并降低成本。

工具和软件

除了订购已上市的LMG5200 评估模块，设计人员使用针对LMG5200 的PSpice 和TINA-TI 模块来仿真这项技术的效能和开关频率优势，以便更快地开始设计工作。

供货情况和价格

目前可在TIStore 中购买GaN 功率级的原型机样品。LMG5200 建议售价为每个50 美元，最多购买数量以10 个为限。LMG5200 评估模块同样贩卖中，建议售价为299 美元。