高通推出第二代RF360射频前端解决方案

2015-01-15 来源:微波射频网 字号:

在11月19日举行的年度投资者日上,Qualcomm Technologies(高通)推出了第二代Qualcomm®RF360™包络追踪器QFE3100,并分享了Qualcomm® RF360™的如下信息:

• 被40多个OEM厂商的超过225款设计采用

• 30%的28纳米制程射频(RF)设计采用了至少一种RF360组件

• 第二代产品已经上市

QFE3100的发布着实令人兴奋:其电路板面积与QFE1100相比减少了30%,能够提高功率放大器(PA) 的功率效率,并为OEM厂商提供了简化包络追踪器(ET)的实施工具。QFE3100预计将与我们的第五代Qualcomm® Gobi™9x45 LTE调制解调器同步实现商用。除此之外,我认为最值得瞩目的是RF360射频前端解决方案所带来的设计成果。2013年9月,第一个包络追踪器搭载三星Galaxy Note 3上市。仅仅过去一年多一点的时间,这一数字已激增至40多家OEM厂商推出225多款设计!

QFE1100与QFE3100包络追踪器

QFE1100包络追踪器凭借先发优势,已经通过Nexus 5、三星Galaxy S5、HTC One M8和索尼Xperia Z2等一些主流智能手机实现商用。包络追踪器实现了功率放大器功耗和热学设计的大幅改善,因而倍受高端LTE智能手机制造商的青睐。而QFE3100则能够在尺寸更小的芯片中进一步增强包络追踪器性能!

QFE15xx与QFE25xx天线匹配调谐器

继包络追踪器之后上市的是QFE15xx天线调谐器,它最早出现在诺基亚Lumia 1520中,目前已应用于索尼Xperia ZL2、HTC One M8、Amazon Fire和Lumia 830等多款终端。与第一代天线调谐器相比,第二代天线调谐器QFE2550能够满足更高的性能规格,从而进一步增强了天线性能和用户体验,预计在未来几个月内将很快上市。

QFE23xx与QFE33xx/ QFE10xx功率放大器/天线开关

RF360第一代组件中,集成式CMOS功率放大器和开关的QFE23xx是最后上市(今年3月)的,但也已经被很多主要OEM厂商采用。QFE2320/ 40最早出现在中兴Grand S2和星星1号中,目前已经商用在HTC Desire 510、联想S856、三星Galaxy Grand Prime和三星Galaxy Core Max等多款终端中。第二代QFE3335/ 45产品最近已经通过中兴MF975s MiFi终端上市,超前包络追踪器和天线调谐器,成为我们首个实现商用的下一代RF360组件。

如果留心的话,您会发现上述许多终端搭载了不止一种RF360组件。例如,Amazon Fire手机就是首个搭载RF360所有三种组件的终端。值得一提的是,这些终端覆盖了从Qualcomm®骁龙800到400处理器的各个LTE层级。稍早的统计数据显示:30%的28纳米制程收发器设计(包括高端的WTR3925以及中低端的WTR4905和WTR2955)采用了至少一种RF360组件,这也说明了RF360的广泛采用。

RF360前端解决方案的第一代产品已全部上市,第二代产品的商用也指日可待,显然,RF360前端解决方案已经成熟。“超过225款”这样的数字也表明:未来还大有可为!

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