东芝推出智能手机专用射频天线开关

新产品运用了“TaRF5”——一种采用绝缘硅（SOI）技术打造的新一代TarfSOI（东芝先进的RF SOI）工艺。相较于采用TaRF3工艺打造的产品而言，采用TaRF5工艺打造的新样品的插入损耗（f=2.7GHz）改善了25%，尺寸缩小了40%。这些改进可延长电池工作时间，缩小安装空间，还有助于缩小应用产品的尺寸。

自从2009年为智能手机射频天线开关开发SOI-CMOS工艺以来，东芝已经相继开发出了可改善性能的新一代工艺和设备。随着LTE和LTE-Advanced相继在全球获得采用，市场对射频天线开关的需求也倾向于多端口与复杂功能。为满足这些市场需求，东芝计划继续开发低插入损耗、小尺寸的产品。