IR推出采用沟道技术的R8抗辐射功率场效应晶体管

国际整流器公司（IR，NYSE: IRF）推出两款高性能R8抗辐射功率场效应晶体管（MOSFET），优选后用于宇航级负载点（POL）稳压器。新型R8的开发将为航天系统设计提供小尺寸、轻量级和高效率产品。

新型R8逻辑级功率MOSFET利用沟道技术提供极低的导通电阻(RDS（on）),其典型值为12mΩ，全部栅极电荷(QG)的典型值为18nC，与已有方案相比，有效性能提高6%。IR HLNM87Y20SCS型器件击穿电压BVdss额定值20V，最大漏极电流（Id）额定值17A。新器件采用IR SMD 0.2新型表面贴装型封装，与现有SMD 0.5封装方案相比，节省空间50%。在微电路设计方案中，还可提供TO-39型封装形式或裸片形式。

IR公司的新产品具有电离总剂量（TID）300K拉德抗辐射特性，单粒子效应（SEE）的单粒子翻转（LET）阈值为81MeV-cm2/mg，Vgs额定值为12V。根据预期的设计轨道和辐射环境，R8 抗辐射MOSFET可以满足使用寿命15年或更长的任务要求。

供货与价格

R8 MOSFET价格为每250个594美元。产品订单立刻生效，价格会有变更。产品遵循美国出口管制法律法规。