富士通开发出GaN HEMT毫米波收发器模块

2013-06-17 来源:微波射频网 字号:

富士通实验室有限公司于日前宣布,已开发出基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的毫米波收发器模块,输出功率可达10W,工作频率可达毫米波波段。

迄今为止,开发工作在毫米波波段的高输出功率模块需要模块包含数个独立封装的器件,以保证足够的散热能力。因此,模块体积难以缩小。此外,由于信号损失,模块内部的连接端子需工作在更高的频率,为器件整体工作在毫米波带来了挑战。

富士通实验室新开发的高输出功率毫米波收发器模块使用多层陶瓷嵌入式热沉技术,可保证有效散热。此外,通过独特的架构可减少内部终端连接器件出现的信号损失,保证收发机工作在毫米波波段。新模块尺寸仅为12mm×36mm×3.3mm,还不到传统模块尺寸的1/20。

该新技术使得在单个产品内可包含多个芯片,因此可用于研发更紧凑的雷达器件和无线通信设备。

富士通实验室公司计划将该技术用于更广泛需要紧凑模块、高输出、宽带宽的应用中,包括无线设备和雷达系统。

新技术的详细信息于美国西雅图举办的IMS2013期间公布。

毫米波波段的应用场景

图1. 毫米波波段的应用场景

毫米波氮化镓(GaN)收发器模块图表

图2.毫米波氮化镓(GaN)收发器模块图表

毫米波氮化镓(GaN)收发器模块照片及结构

图3.毫米波氮化镓(GaN)收发器模块照片及结构

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