安森美高性能器件推进便携及消费电子产品的能效及保护性能

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续让多种便携及消费电子产品更省电，推出扩充阵容的高集成度、特性丰富、低能耗的方案，用于便携及消费电子产品。

安森美半导体在11月13日至16日德国慕尼黑Electronica 2012展上推出的便携及消费应用新产品

安森美半导体在本年度的Electronica展会及研讨会上推出两款新的单通道功率MOSFET。新的MCH3383 P沟道MOSFET提供12伏(V)的漏极至源极电压(VDSS)、3.5安培(A)的漏极电流(ID)及69毫欧((mΩ))的导通电阻(RDS(ON))，而MCH3484 N沟道MOSFET提供20 V的VDSS、4.5 A的ID及330 mΩ的RDS(ON)。这些器件非常适合用于数码录音笔(IC recorder)及智能手机。

展会上并推出NCP4545、NCP45520/21及NCP45524/25用于高能效电源域开关的ecoSWITCH系列，它们是极紧凑、先进负载管理方案的新成员。这些器件结合控制及驱动功能，均包含以可调节歪曲率控制提供的软启动功能，集成了低导通电阻功率MOSFET及电荷泵。它们适合于笔记本/平板电脑、便携式媒体设备、企业级计算系统、热插设备、外设端口、电信及工业设备和各种便携设备。

此外，NCP333、NCP334、NCP335、NCP336及NCP337是新推出的高性价比、极紧凑、高性能的负载开关。这些基于MOSFET的器件输入电压范围涵盖1.2 V至5.5 V，均内置输出放电通道以消除输入电压轨上的残余电压。它们经过了优化，用于手机、笔记本/平板电脑及数码相机等应用。

安森美半导体还推出了NCP702、NCP703及NCP729低压降(LDO)线性稳压器，这些器件的输入电压范围为2.0 V至5.5 V，提供超低静态电流和内置过热关闭机制。这些器件的优异性能特性使其非常适合于必须维持信号完整性的噪声敏感型应用，如锁相环(PLL)、振荡器、频率合成器及低噪声放大器。它们被证实极适用的终端产品包括智能手机、数码相机、平板电脑、便携式DVD/媒体播放器、无线耳机、WiFi板和便携式GPS系统，以及便携式医疗设备。

关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)致力于推动高能效电子的创新，使工程师能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。