美国国家半导体推出突破性直接射频采样ADC 简化无线电设计

美国国家半导体公司（National Semiconductor Corp.）（美国纽约证券交易所上市代码：NSM）宣布推出全新系列模数转换器（ADC），新产品实现了业界首次对超过2.7 GHz射频信号的直接采样，同时具有-71dBc的三阶互调失真（IMD3）性能和高达每秒3.6千兆次（GSPS）的采样速率。

ADC12Dxx00RF系列包括五个12位ADC，有助于系统设计人员省去多个中间频率（IF）下变频段部件，包括放大器、混频器和滤波器等。用一个ADC12Dxx00RF可以取代整个无线电信号路径子系统，大大降低3G/4G无线基站以及微波回程、军事和宽带软件无线电（SDR）应用的材料清单（BOM）成本，减小了电路板尺寸和重量。

美国国家半导体公司高速信号路径部营销总监Jon Baldwin表示：“无线电设计人员正在寻求新的方法来增加无线容量，同时降低成本、尺寸和重量。基于射频采样ADC的架构提供了上述优势，但一直以来人们都认为这项技术距离实际应用还要几年时间。凭借其空前的高频动态范围和业内最高的采样速率，ADC12Dxx00RF系列ADC为客户提供了一种核心技术，使他们可以开发直接射频采样无线电。”

作为美国国家半导体公司领先的GSPS ADC系列的新一员，ADC12Dxx00RF ADC与早先产品全部引脚兼容，可以实现从每秒500百万次采样（MSPS）至3.6 GSPS的便捷升级路径：

·ADC12D1800RF提供单通道高达3.6 GSPS的交叉采样速率，或者双通道1.8 GSPS的采样速率，在2.7 GHz条件下IMD3为-64 dBc。
·ADC12D1600RF提供单通道高达3.2 GSPS的交叉采样速率，或者双通道1.6 GSPS的采样速率，在2.7 GHz条件下IMD3为-70 dBc。
·ADC12D1000RF提供单通道高达2.0 GSPS的交叉采样速率，或者双通道1.0 GSPS的采样速率，在2.7 GHz条件下IMD3为-69 dBc。
·ADC12D800RF提供单通道高达1.6 GSPS的交叉采样速率，或者双通道800 MSPS的采样速率，在2.7 GHz条件下IMD3为-71 dBc。
·ADC12D500RF提供单通道高达1.0 GSPS的交叉采样速率，或者双通道500 MSPS的采样速率，在2.7 GHz条件下IMD3为-69 dBc。

这些直接射频采样ADC在所有频段表现出的优异线性性能为其他组件带来更多的系统余量，以降低对其他组件的性能要求，同时节省成本和设计时间。为了形成一个完整的信号路径解决方案，ADC12Dxx00RF ADC可与美国国家半导体公司的双通道、数字控制可变增益放大器（DVGA）或LMH6554全差分放大器，以及LMX2541频率合成器或美国国家半LMK04800时钟抖动消除器配合使用。

封装及供货情况

美国国家半导体的全部五款12位射频采样ADC现已上市，均采用引脚兼容的热增强型292焊点BGA封装。

美国国家半导体公司简介
美国国家半导体是一家位居领导地位的电源管理技术开发商，一直致力为市场提供各种易于使用的模拟集成电路，而且拥有世界级的供应链管理技术及经验，备受业界推崇。该公司的高性能模拟产品可以提高客户的系统能源效率。美国国家半导体公司总部位于美国加州圣塔克拉拉（Santa Clara），2010年财年的营业额达1.52亿美元。有关美国国家半导体公司的其他资料，可浏览网页http://www.national.com。