SiGe半导体推出业界首款基于硅技术的大功率2GHz 802.11bgn WLAN功率放大器

　　SE2576L可为具有上网功能的电视或家庭影院等快速增长的网络应用产品提供完整的覆盖范围

　　SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor) 现已推出2GHz无线LAN功率放大器(PA) 模块。型号为SE2576L 的全新IEEE802.11bgn器件，是业界尺寸最小且效率最高的功率放大器，发射功率为26dBm。SE2576L 瞄准需要大射频 (RF) 发射功率的网络应用，如家庭影院或数据传输、企业和室外网络，以及公共上网热点，能够提供完整的覆盖范围和更高的链路预算，实现更快速、更高效的数据传输。

　　SiGe半导体 亚太区市场推广总监高国洪表示：“SE2576L的设计焦点是易于使用和提供最大灵活性。这款PA模块可让客户降低开发、验证和认证成本。最重要的是，它可将WiFi功能性集成在各种尚未具备网络功能的产品中，帮助客户缩短产品上市的时间。”

　　大功率WLAN连接性面对的挑战是RF PA。当PA在较高RF功率级下工作一段时间后，PA 本身的温度往往会升高。随着PA温度的上升，它保持所需RF功率级的能力便会下降，这又促使PA控制环路提高RF功率，从而导致PA工作温度进一步上升。PA温度上升除了会降低RF功率之外，还会减低线性度性能，最终破坏传输数据，并在WiFi频率信道附近产生干扰。

　　SE2576L 采用硅锗工艺制造，该技术与标准硅工艺基本相同，热导性却是砷化镓(GaAs)器件的三倍。SE2576L集成了输入匹配电路和外部输出匹配电路，可以针对5V、26dBm 的工作条件调节负载线，从而帮助 SiGe 半导体的客户简化设计、加快上市速度，并提高产品良率。

　　SE2576L内置有采用温度补偿的对负载不敏感的功率检测器，动态范围为20dB，在天线端3:1失配条件下，变化小于1.2dB。SE2576L综合了功率检测器功能和硅锗技术固有散热优势，可在极端温度下保持稳定的性能，适合需要特别注意自身变热问题的大功率应用。新型WLAN PA还带有数字激活控制功能，并集成了一个参考电压发生器，其典型功率斜坡上升/下降时间为0.5 μs。

　　SE2576L 的占位面积和应用板设计与SiGe半导体2GHz大功率WLAN PA系列中的其它器件相同，使得终端用户可以共享通用电路板设计，并为每款产品选择最佳的PA。

　　高国洪总结称：“SiGe 半导体的SE2576L为客户提供了满足业界对高集成度、小占位面积2GHz PA模块之需求的解决方案，这些器件能够轻易集成进各种消费电子应用中，以提供WiFi功能。”

　　SE2576L采用符合RoHS指令的无卤素、小引脚、16脚3mm x 3mm x 0.9mm QFN封装。这种低侧高封装非常易于集成进WLAN模块中。