Hittite新增两款针对3G/4G市场的高增益MMIC LNA

为通信及军用市场提供世界级完整MMIC解决方案的供应商Hittite Microwave公司，最近推出两款新型的SMT封装GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)，它们理想地适合用于汽车、宽带、蜂窝/3G、WiMAX/4G、以及0.6至2.9GHz范围内的固定无线应用。

HMC718LP4E和HMC719LP4E是砷化镓pHEMT MMIC低噪声放大器，额定工作频带分别从0.6到1.4GHz和1.3到2.9GHz。这些高线性度低噪声放大器提供高达34dB增益和39 dBm的输出IP3，噪声数字低至0.9分贝。这两款低噪声放大器都表现出很小的输入和输出回波损耗，而且只需要最少的外部匹配和偏置去耦元件。

 

HMC718LP4E和HMC719LP4E有着共同的引脚安排，且都采用符合RoHS标准的4 × 4毫米QFN SMT封装。这两款通用低噪声放大器可在+3V或+5V偏置电源下工作，并具有外部可调节电源电流，这允许设计师针对每个应用调节低噪声放大器的线性性能。HMC718LP4E和HMC719LP4E非常适合用于汽车、蜂窝/3G、WiMAX/4G和其它宽带无线通信基础设施的收发器应用中。

关于Hittite微波公司

Hittite微波公司是创新性的设计商和制造商，业务覆盖模拟和混合信号芯片、模块、RF子系统和仪表、从直流直到110 GHz的微波和毫米波应用。公司的RFIC/MMIC产品采用MESFET、HEMT、pHEMT、mHEMT、HBT和PIN器件的最新的GaAs、GaN、InGaP/GaAs、InP、SOI、SiGe、CMOS和BiCMOS半导体工艺开发。公司的定制和标准产品支持汽车、宽带、手机/3G、光纤、微波与毫米波通信、军用、测试与测量以及空间市场的大量无线/有线通信和雷达应用。