东芝发布基于GaN的新款功率场效应晶体管 频率达Ku波段

       东芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布其已开发了用于Ku波段（12GHz到18GHz）频率范围的氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET），使该频率范围在14.5GHz上实现了65.4瓦的输出功率，这也是迄今为止该频率范围所能支持的最高性能水平。

        该新型晶体管主要应用于卫星微波通信基站，用以传输包括高清晰广播在内的大容量信号。东芝公司计划于2007年底供应该新型功率场效应晶体管的样品，并于2008年3月底进行大规模生产。 

        Ku波段微波放大器的主要优点是以半导体，特别是氮化镓设备取代传统电子管应用于该带宽，这些晶体管能以更高的微波频率提供优越的高功率特性。 

        该新型功率场效应晶体管具有高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，东芝公司面向Ku波段对该结构进行了优化。该公司用通路孔技术代替

        用于雷达及卫星微波通信基站的氮化镓功率场效应晶体管将取代电子管用于新设备中，对它们的需求一直稳步增长。东芝公司通过提前将其新型Ku波段功率场效应晶体管进行商业化，将使这一需求得到满足。