英特尔展现超越CMOS的技术

[据电子工程专辑网站2017年4月3日报道] 英特尔在上个月的国际物理设计研讨会（ISPD 2017）上展示了超过十几种技术，超越了其与大学和半导体研究公司行业联盟一起开发的CMOS的局限性。

英特尔的最终目标是在使用相同的晶元生产线，实现每次计算操作能耗显著降低。

英特尔技术制造事业部高级研究员兼组件集成电路探索性研究总监Ian Young说：“我们正在探索超越CMOS逻辑和计算方法，以寻找如何用不同的方式来实现。我们希望将电源电压远低于0.5V。但由于要遵循CMOS逻辑，MOSFET的60mV/十的亚阈值摆幅使我们无法实现这一目标。”

无论采用哪种新技术，它都必须与现有的CMOS工艺集成，因为时钟和I / O模拟电路将需要一些CMOS晶体管。但是不要担心，据Young介绍说，有大约十几种不同的想法同时正在相同的晶圆生产线上被研究，以实现电源电压显着降低。

“为了加快进度，英特尔一直在对所有超越CMOS器件的逻辑运算进行时延和能耗基准测试。我们也在深入了解自旋电子逻辑器件。”Young说，“了解他们如何运作，对其行为进行建模，并了解如何实现比CMOS甚至隧道FET更低的导通电压。”

英特尔正在探索不同类型的自旋电子技术，以在功率等性能上击败CMOS，如全自旋，磁电和自旋轨道耦合逻辑器件。虽然没有采取最好的方法，但许多创新和实用的技术正在被发现。（工业和信息化部电子第一研究所  张慧）