先进功率半导体器件研发获突破

我国先进功率半导体器件研发获得重大突破。21日，湖南省科技厅组织来自中国工程院、中国科学院、清华大学、同济大学等单位的院士、专家，在长沙对株洲南车时代电气股份有限公司自主研制的3300V轨道交通用IGBT芯片进行了技术鉴定。专家组一致通过了该产品的技术鉴定，认为该技术和产品填补了国内大功率IGBT芯片技术空白，达到国际先进水平。

IGBT中文全名“绝缘栅双极型晶体管”，是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域，被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。

与其他工业用IGBT相比，轨道交通使用的大功率IGBT更具特殊性。因轨道交通工具牵引负荷重、运行环境复杂多变，要求相关器件能承受瞬间高压大电流变化、能实现动态自动优化、极高的安全可靠性等特性，技术要求相当高。此前，这项技术主要控制在国外企业手中，国内虽然掌握了相关产品的模块封装技术，但芯片设计及工艺等关键核心技术依然未突破。而由南车时代电气自主研制的3300V轨道交通用IGBT芯片产品，在地铁和大功率电力机车上试用，分别安全稳定运行65万公里和50万公里，产品性能优良。