德国爱思强股份有限公司今日宣布,中国苏州纳米技术与纳米仿生研究所订购了两套爱思强的近耦合喷淋头技术(CCS)系统,以拓展该中心的氮化物半导体研究。订单于2012年第三季度接获,计划将于2012年第四季度和2013年第一季度完成交付。
其中一套为爱思强推出的2英寸技术研发系统,可处理6x2英寸的基材。另一套CRIUS®系统则用于批量化生产,可一次处理最大31x2"或3x6"规格的基材。
苏州纳米技术与纳米仿生研究所所长杨辉博士指出:“我们的纳米器件及相关材料研究部将运用这两套系统开发新型应用,例如用2英寸系统研发氮化镓(GaN)激光器、硅基氮化镓的生长和用CRIUS®系统制造高电子迁移率晶体管(HEMT)。”
纳米器件及相关材料研究部于2006年成立,其中一个研究小组利用爱思强6x2”规格的近耦合喷淋头系统,专门研究基于氮化镓的大功率发光二极管(LED)和激光二极管(LDs)。该部门期望将专业技术拓展应用至电力电子领域。
目前,在硅基材上生长的氮化镓的高电子迁移率晶体管已得到广泛开发,用于批量生产射频和功率切换应用设施的大功率密度器件。采用这种器件建造的系统将更为小巧节能,所需电路系统和被动元件更少,且能降低冷却要求。
苏州纳米技术与纳米仿生研究所由中国科学院(CAS)、江苏省人民政府和苏州市人民政府共同创建。该中心的使命为面向国际科技前沿、国家战略需求与未来产业发展,开展基础性、战略性、前瞻性研究。
其中一套为爱思强推出的2英寸技术研发系统,可处理6x2英寸的基材。另一套CRIUS®系统则用于批量化生产,可一次处理最大31x2"或3x6"规格的基材。
苏州纳米技术与纳米仿生研究所所长杨辉博士指出:“我们的纳米器件及相关材料研究部将运用这两套系统开发新型应用,例如用2英寸系统研发氮化镓(GaN)激光器、硅基氮化镓的生长和用CRIUS®系统制造高电子迁移率晶体管(HEMT)。”
纳米器件及相关材料研究部于2006年成立,其中一个研究小组利用爱思强6x2”规格的近耦合喷淋头系统,专门研究基于氮化镓的大功率发光二极管(LED)和激光二极管(LDs)。该部门期望将专业技术拓展应用至电力电子领域。
目前,在硅基材上生长的氮化镓的高电子迁移率晶体管已得到广泛开发,用于批量生产射频和功率切换应用设施的大功率密度器件。采用这种器件建造的系统将更为小巧节能,所需电路系统和被动元件更少,且能降低冷却要求。
苏州纳米技术与纳米仿生研究所由中国科学院(CAS)、江苏省人民政府和苏州市人民政府共同创建。该中心的使命为面向国际科技前沿、国家战略需求与未来产业发展,开展基础性、战略性、前瞻性研究。