RFMD宣布其在多模式参考设计方面的成功

　　日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）宣布，已确保了其针对第二代超高效率功率放大器系列的参考设计方案的成功。该新参考设计方案主要针对高度集成的多模式、多频段 3G/LTE 解决方案。

　　RFMD 蜂窝产品组 (CPG) 总裁 Eric Creviston 说：“我们非常高兴能够扩展我们与这个顶级芯片供应商的关系，其设计包含了我们的超高效率 3G/4G 功率放大器。RFMD 正为我们的共同客户提供高性能 3G/4G 交换器及其相关方面系列产品支持，我们期待我们对 3G 和 LTE 参考设计的参与程度的增加能为我们带来增量增长机会。”

　　通过延长电池寿命和降低智能手机中数据使用的热影响，RFMD 的第二代超高效率 3G 和 4G LTE 功率放大器可提供更佳的用户体验。该产品系列目前覆盖了 WCDMA 频带 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 频带 4、7、11、13、17、18、20 和 21，因此涉及了最常用的 UMTS/HSPA+ 频带和频带组合。在 2012 年上半年，我们还将推出其他多模式、多频段 (MMMB) 和单模式 LTE 的型号。

　　RFMD 可提供用于单模和整合式架构的广泛 3G 和 4G LTE 解决方案，以确保与领先芯片组供应商的一致性及实现全球网络兼容。RFMD 的 3G 和 4G LTE 产品系列可降低智能手机中数据使用的热影响，同时能在网上冲浪、视频电话和互联网无线电服务等基于数据的应用中实现更长的电池使用时间。