中兴通讯首家完成TD-LTE双载波外场测试 下行速率高达260Mbps

2011-10-26 来源:微波射频网 字号:

  近日,中兴通讯宣布日前已在西安外场完成TD-LTE单扇区双载波流量测试,下行速率高达到260Mbps, 成为全球业界首家完成此项测试的LTE设备供应商。在此次测试过程中,中兴通讯采用支持三载波的大容量基带板、双载波的RRU和自研的高性能模拟UE。此款基站设备通过软件升级可以实现R10协议中CA功能,进一步保障运营商的投资。

  中兴通讯凭借创新能力和产品化能力一直领跑TDD技术,在TD-LTE领域也一直处于技术和系统商用化的领先地位;在2009年4月业界首家完成TD-LTE 80Mbps峰值流量测试,2009年11月业界首家完成TD-LTE 130Mbps峰值流量测试。同时,中兴通讯已推出一系列TD-LTE BBU、RRU,满足TD-LTE不同覆盖场景需求。

  中兴通讯积极推动TD-LTE商用,截止2011年8月,中兴通讯已在全球16个国家与29个全球领先运营商建设TD-LTE实验局和商用网络,遍布欧洲、印度、独联体、亚太、东南亚等区域,其中包含7个商用网络。在瑞典部署全球最大的LTE TDD/FDD融合商用网络,也是北欧第一个TD-LTE商用网络,基站采用中兴通讯SDR平台以及统一的核心网和网管平台。此外,中兴通讯还和高通、创毅视讯、Sequans 、Altair等芯片厂家积极开展合作进行互通测试,推动产业发展。

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