RFMD的PowerSmart荣获最创新化合物半导体元器件奖

高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc. 日前宣布Compound Semiconductor杂志颁发该公司的PowerSmart功率平台（RFRD6460）为2011年化合物半导体业界的最创新元件。 该奖项是于2011年3月22日由Compound Semiconductor杂志于德国法兰克福的2011 CS Industry Awards 中颁发。

RFMD的革命性PowerSmart功率平台具备射频可配置功率核心（RF Configurable Power Core），其提供所有移动通讯调变方案的多频、多模涵盖率，达4G LTE 64QAM。 PowerSmart功率平台并于一个精小的参考设计内包括了所有必要的转换和讯号处理功能，提供领导级元件制造商一个针对整个蜂窝式前端的单一可扩展来源。

RFMD PowerSmart功率平台的卓越设计弹性，可协助智能手机和平板设备的设计者免除数个月的开发时间，并透过单一设计涵盖更广泛的市场，同时相较于竞争性产品可节省相当程度的尺寸、功耗和研发成本。

RFMD总裁兼执行官Bob Bruggeworth表示：“我们非常高兴Compound Semiconductor杂志肯定RFMD的PowerSmart 为2011年化合物半导体业界最创新的元件。 RFMD专注于扩展我们于化合物半导体业界领导性至多重市场，我们相信PowerSmart 位居多模、多频智能手机转移至聚合式前端的技术前锋。”

除了GaAs PowerSmart技术外，RFMD于砷化镓聚光型光电系统和氮化镓高功率放大器的努力更于全球成长最快的市场中，协助延伸于化合物半导体业界的重要性。

编辑Richard Stevenson 表示：“Compound Semiconductor以CS Industry Awards 以及化合物半导体业界之热烈响应为荣。我们认为表扬业界中的技术成就是很重要的，例如RFMD的PowerSmart。这些类别和产品代表着在晶片制造过程中关键的创新领域。”

RFMD近期已开始RFRD6460 PowerSmart功率平台的量产出货，以支持Samsung Galaxy S 2系列的3G/4G智能手机和平板设备，以及LG Optimus 3D。 该公司拥有强势的财力地位，并透过多个申请中的专利支持PowerSmart。

关于 RFMD
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代码：RFMD）堪称在高性能半导体元件的设计与制造方面的全球领先厂商之一。 RFMD 的产品可实现全球移动性，提供更高的连接能力，以及支持蜂窝手机、无线基础设施、无线局域网 (WLAN)、有线电视网络/宽带、航空及国防市场中的高级功能。 RFMD 因其多样化的半导体技术以及RF 系统专业技能而得到业界的认可，并且是受全球领先移动终端及通讯设备制造商所青睐的供应商。RFMD 总部位于北卡罗来纳州、Greensboro，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为 RFMD。有关更多信息，请访问 RFMD 网站：www.rfmd.com。