应用材料公司拓展RFPVD技术实现22纳米晶体管触点制造

　　近日，应用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系统的应用组合，实现了镍铂合金(NiPt)的沉积，将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键，但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率，Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%的底部覆盖，其单片晶圆的成本比应用材料公司之前市场领先的系统最多可降低30%。

　　应用材料公司副总裁兼金属沉积产品事业部总经理Prabu Raja表示：“通过把这个标杆性RF PVD技术的应用进一步拓展，应用材料公司继续巩固其在先进金属化解决方案领域内的领先地位。应用材料公司的RF PVD技术为芯片制造商提供了一个低风险的路径，使用已经通过生产验证的技术最大限度减少开发时间，制造功能强、阻抗低的晶体管触点。Avenir系统已在多个逻辑芯片和晶圆代工客户的触点制造中得到了应用和高度认可。

　　2010年，应用材料公司推出了这种基于极其成功的Endura平台的突破性射频增强物理气相沉积技术，使芯片制造商可以在他们最先进的高性能逻辑器件中集成最新的金属栅晶体管技术。Avenir RF PVD系统针对触点应用，集成了更强的射频源，使制造商能够在又窄又深、直径小于30纳米的触孔中沉积高度一致的镍铂层，这种能力对于减少触点阻抗、优化晶体管性能是至关重要的。