高通28纳米LTE芯片成型 多模TD-LTE浮出台面

手机芯片大厂高通（Qualcomm）在开发LTE芯片往前迈进一步！高通确定今年将推出28纳米制程的多模LTE芯片，除了与宏达电合作推出LTE智慧型手机外，近期也计划与OEM厂商合作推出支援LTE的平板装置。同时，高通更积极进军中国TD-LTE市场，推出同时整合FDD/TDD、以及3G和EDGE规格的TD-LTE芯片。

高通大中华区业务发展副总裁沉劲表示，28纳米的LTE芯片组，将瞄准智慧型手机和平板市场。 在出席台湾4G无线宽频研讨会上，高通大中华区业务发展副总裁沉劲表示，28纳米的LTE芯片组，将瞄准智慧型手机和平板市场，除了宏达电之外，高通也会深化与华宝通讯的合作广度。在小笔电领域，高通也会继续和华硕和宏碁密切合作。

沉劲进一步指出，100美元价格甚至以下的智慧型手机产品，将成为新兴市场另一波的新商机，因此能够整合更多无线通讯标准、具有价格竞争力的多模芯片，才有机会掌握这波中低阶智慧手机的发展趋势。未来LTE芯片势必以多模架构为主流，非对称（unpaired）的多时分工（Time Division Duplex；TDD）技术，可大幅降低LTE芯片功耗，并更有效地利用双核心处理器资源。

确定在今年将会推出样品的新款28纳米多模LTE芯片组，整合HSPA、CDMA2000 EV-DO Rev.2和EDGE等规格，统统包办了2G～3.9G无线通讯标准，同时也结合WLAN、 GPS、蓝牙和FM等无线连结功能。这款双核LTE芯片除了处理效能可达1.4GHz之外，也强调多媒体和绘图处理的能力。

中国移动通信研究院副院长王晓云在台湾4G无线宽频研讨会上也指出，目前除了高通之外，包括三星、迈威尔（Marvell）、ST-Ericsson、Sequans、Beceem（现为Broadcom所并购）、Altair Semiconductor、Wavesat、Nokia、LG和联发科等，以及中国的海思（Hisilicon）、创毅视讯（Innofidei）、重邮信科（CYIT）、展讯（Spreadtrum）、中兴和大唐等，都已经具备清楚的多模LTE芯片架构发展轮廓。

这些正在投入的LTE芯片商，大部分都朝向整合对称（paired）分频多工（Frequency Division Duplex；FDD）和非对称分时多工（TDD）架构，并且进一步整合EDGE、TD-SCDMA或是UMTS等多模无线通讯标准。