RFMD的PowerSmart电源平台达到4G性能新里程碑

设计和制造高性能射频元件及化合物半导体技术商RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布其PowerSmart电源平台已达到重大的性能里程碑。 RFMD的PowerSmart电源平台为一全新的产品类别，其重塑了多模、多频蜂巢式射频架构的未来。

在独立产品测试中，RFMD的PowerSmart电源平台达到了HSPA+4G数据上传速度，同时所耗电流比竞争性解决方案少15％。而例行性用来评估每个新蜂巢式产品前端、收发器和基频的产品合格测试，目前也已透过支援涵盖多种规格的产品系列而进行，该产品将于2011年三月由蜂巢式设备主要制造商推出。

PowerSmart电源平台具备一新射频可配置功率核心(RF Configurable Power Core)，可提供所有蜂巢式通讯调变方案的多频、多模覆盖率，包括GSM / GPRS、EDGE、,EDGE Evolution、CDMA、3G （TD-SCDMA或WCDMA）和4G（HSPA+，LTE或WiMAX）。

HSPA + 4G装置可达到每秒22megabit（Mbps）的最高数据上传速度。由于PowerSmart的射频可配置功率核心兼容于目前和已知的未来4G标准数据技术（HSPA+,LTE QPSK, LTE 16QAM和LTE 64QAM），因此RFMD预期之后内建PowerSmart的智慧型手机将可支援高于22 Mbps的上传速度。

除了射频可配置功率核心进行所有功率放大和电源管理功能，RFMD的PowerSmart电源平台更将所有必要的转换和讯号处理功能包含于一个精小的参考设计中，提供智慧型手机制造商一个针对整个蜂巢式前端的单一可扩展来源。

关于 RFMD
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代码：RFMD）堪称在高性能半导体元件的设计与制造方面的全球领先厂商之一。 RFMD 的产品可实现全球移动性，提供更高的连接能力，以及支持蜂窝手机、无线基础设施、无线局域网 (WLAN)、有线电视网络/宽带、航空及国防市场中的高级功能。 RFMD 因其多样化的半导体技术以及RF 系统专业技能而得到业界的认可，并且是受全球领先移动设备、客户端设备及通讯设备制造商所青睐的供应商。