Yole：2025年，GaN RF市场规模将超过20亿美元

报告指出，自20 年前首款商用产品问世以来，GaN 技术已成为LDMOS 和GaAs 在RF PA 市场中的重要竞争对手。凭借其在4G LTE 电信基础设施市场的渗透力，预计GaN on SiC 将在5G Sub-6Hz RRH 中保持强大的地位。

而在新兴的5G Sub-6Ghz AAS（Active Antenna Systems），大规模多输入多输出（MIMO）部署领域中，GaN 与LDMOS 之间的竞争仍在继续。尽管具有成本效益的LDMOS 技术在Sub-6GHz 频段的高频性能方面取得了显着进步，但GaN on SiC 却具有出色的带宽、PAE 和功率输出。

来到具体的市场状况。首先看电信基础设施方面，据Yole 的报告，GaN 射频在这个领域的部署将长期保持不变。而在AAS中，带宽的增加将有利于推动GaN RF 的需求。此外，在未来几年中，小型蜂窝(small cells)和回传连接(backhaul connections)将看到GaN 的惊人部署。

其次看一下军事应用领域，随着政府的投资以取代基于TWT（Travelling Wave Tube）的系统来改善国家安全，国防仍将是GaN RF 市场的主要推动力之一。雷达是军事应用的主要推动力，这主要是由于基于GaN 的新型AESA（Active Electronically Scanned Array）系统中的T/R 模块的增加以及对机载系统轻型设备的严格要求。

报告指出，到2025 年，整个GaN RF 军事市场将超过11 亿美元，复合年增长率为22％。

而对于大家关注的GaN 应用于手机，Yole 表示，GaN 的高性能和小尺寸可能吸引了OEM 厂商的兴趣。但GaN PA 何时能被手机厂商采用，将取决于GaN 未来五年的技术成熟度，供应链、成本以及OEM 的决定。

作为射频领域的专家，Qorvo 在GaN 方面也有领先的优势。在之前的财报会议上，Qorvo 方面指出，为满足5G 高频率需求，公司将协助基站制造商向氮化镓（GaN）功率放大器转变，积极部署宏基站和大规模MIMO 网络，助推全球5G 基础设施部署。预计未来功率放大器的大半市场将转向氮化镓（GaN），并且这一趋势也会加速推进。

Qorvo FAE 经理荀颖在今年六月份的演讲中也强调。在5G 用例的推动下，除了宏基站，市场也对小基站有了更多的需求。伴随而来的是推动这些基站从频率、带宽以及效率等多方面提高。“对于运营商来说，就希望在5G 基站方面找到一个运营成本，资本支出、可靠性和吞吐率等多个方面都是最优的解决方案，而拥有低功耗、高功率密度和长寿命等优势的氮化镓就成为了开发者们的选择”。荀颖说。

针对现在硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓两种不同的方面，Qorvo 指出，碳化硅基氮化镓在热耗和可靠性方面的表现都优于硅基氮化镓，为此Qorvo 选择了碳化硅基氮化镓为公司在这个领域的主要发展方向。

Qorvo 能够提供从90nm 到0.5um 的GaN 制造工艺，此外还能能够生产砷化镓HBT 和pHEMT，这些产品加上Qorvo在砷化镓BAW、SAW、TC-BAW 和TC-SAW以及RF CMOS 和SOI 开关方面的布局。让Qorvo 有能力给客户大规模提供符合经济要求的器件。