氮化镓射频应用的市场份额将在未来五年加倍

[据美国化合物半导体公司网站2016年3月23日报道]2015年，无线基础设施市场的销售额由于中国大规模采用LTE网络而迅速增长。2015年年底，氮化镓射频应用市场已经接近3亿美元。其后两年的销售可能不会太快，但仍会继续增长，主要的动力来自于无线基础设施市场以及国防市场对氮化镓技术的需求加大。

由于建设5G网络，2019～2020年期间这一市场将获得迅速增长。市场规模将在2022年底之前增大2.5倍，2016年～2022年的复合年均增长率将达到14%。

无线设施，对氮化镓技术的需求占氮化镓整体市场规模的一半以上，2016年～2022年的复合年均增长率将达到16%。尽管氮化镓技术发展之初被用于支持政府的军事和航天项目，我们还是能够很快看到主流商业市场可以接受这种新技术。

氮化镓在基站和无线等应用领域的需求增加，主要源于对数据流量、更高工作频率及带宽的需求的增长。在未来网络设计中，类似于载波聚合和大规模多入多出等新技术将获得应用，这使氮化镓处于比现有高压场效应管的优势明显。氮化镓产品还没有全面覆盖无线基础设施市场，并在高频领域获得更多机会。

95%的氮化镓器件都采用了碳化硅衬底上的氮化镓技术。该技术的成熟使其比硅衬底上的氮化镓技术更有优势，大多数的氮化镓射频技术都采用碳化硅衬底上的氮化镓技术实现。该技术不但能够提高性能，而且可以降低成本，因此成为许多公司的选择。同时高压场效应管和砷化镓在对性能要求不高的大批量应用场合下仍是主要应用技术。

但是门并没有对硅衬底上的氮化镓技术关上。美国MA-COM公司正在发展其硅衬底上的氮化镓产品，并推出其用于基站的第四代氮化镓产品具有和高压场效应管相似的成本。从2016年～2022年，硅衬底上的氮化镓技术将应用在LTE、卫星通信终端、有线电视、射频能量等领域，碳化硅衬底上的氮化镓技术仍然是氮化镓射频应用的首选技术。情况正在发生急剧变化，但目前硅衬底上的氮化镓技术仍是碳化硅衬底上的氮化镓技术的挑战者。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所  王巍）