到2022年氮化镓功率器件市场将以24.5%的速度增长至2.6亿美元

根据来自MarketsandMarkets名为“氮化镓（GaN）功率器件市场——2022全球预测”的报告，全球的GaN功率器件的市场将以24.5%的复合年增长率（CAGR）从2016年增长至2022年的2.6亿美元。

因为新型氮化镓功率半导体器件在卫星通讯、雷达和无线应用领域的投放使用以及提高功率处理能力和增加开关频率技术的持续发展，卫星通讯、雷达和无线应用三个领域表现出快速增长。

新技术的出现驱动增长

硅上氮化镓技术（沉积在高掺杂的硅衬底上的氮化镓）的出现促进了高亮度和超高亮度LED的发展。在过去的十年里，一些其他的技术促进了荧光粉转换型LED的发展，导致了蓝光、蓝紫光、紫光、紫外光以及白光LED的产生。该领域最新的进展是使用量子点技术。报告认为，对氮化镓器件市场而言，最大的优势和驱动力在于要克服每个阶段所面临的挑战带来的新技术的持续出现和年产量的持续增加。

信息通讯技术和消费电子领域贡献了更多的市场份额

氮化镓器件的技术发展正在加速应用于信息通讯技术终端领域（包括射频，卫星和电信），主要是因为对不同类型的射频和无线应用需求的增长以及广泛的行业关注度。

对于氮化镓光基半导体器件带来的巨大效益而言，消费电子是主要贡献收入的终端用户部分之一。随着氮化镓功率半导体器件逐渐涉及到不同的消费电子领域，收益的增长也逐渐增加。

日本主导的氮化镓晶片市场

预计从2016年到2022年，日本将占有最大的市场份额并主导氮化镓晶片市场。日本市场被氮化镓领域应用的增加和半导体行业持续的发展所驱动。就关键竞争者的分布而言，日本在所有的地区排第二位，一些竞争者都将总部设在日本。

在氮化镓功率器件市场中，日本的的主要竞争者包括瑞萨电子，罗姆半导体有限公司，日亚公司，东芝公司以及丰田合成有限公司。

在氮化镓功率器件市场领域的其他主流竞争者为富士通（日本）、皇家飞利浦N.V.（荷兰）、德州仪器（美国）EpiGaN NV（比利时）、NTT先进科技公司（日本）、射频微设备公司（美国）、Cree公司（美国）、爱思强（德国）、IQE plc (英国)以及三菱化工（日本）。

（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 唐旖浓）