氮化镓射频器件产值在2019年可达5.6亿美元

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

受军工需求拉动，氮化镓射频器件市场份额预期将以复合增长率20%的速度增长，其产值在2019年可达5.6亿美元。

据战略分析公司公布的报告统计，氮化镓射频器件将有一半用于军工方面，并且此市场份额在2019年将上涨到60%。军工方面主要是在通讯设备上的应用。

美国国防部在推动氮化镓射频器件在国防方面的应用起到了重要作用，许多氮化镓射频器件技术多应用在微波和毫米放大器上。

美国战略技术研究公司负责人Asif Anwar 表示，氮化镓射频器件在军工方面的应用发展很快，预计氮化镓射频器件在雷达，通讯设备，电子战场方面的应用将继续拓展，市场份额将进一步增加。

战略分析报告中称，氮化镓射频器件在商用方面也将迎来广泛应用，其增长主要是建筑物中的无线基础设备，并将成为商用最主要的应用领域。然而，该机构也警告 道，中国长期发展的标准的大型网络接收站点减少，小型单元基础站点兴起，这将会阻碍氮化镓射频器件在商用方面的增长速度。

日本电信集团移动通讯公司曾经是标准大型网络接收站点的主要使用者，其站点支撑2G和3G无线网络。但现在无线运营商越来越多的依赖小型单元基础站点，其信号可覆盖2千米，更利于移动流量的增长和无线电频谱分配站的合理使用。

先进半导体设备服务部门负责人Eric Higham表示，无线和宽频基础设施（功率放大器）也将应用在其他商用方面。价格是主要因素，（氮化镓技术在LDMOS和砷化镓技术的市场份额中增大），而其他的一些有利政策也将影响此技术的应用。