2013年射频功率半导体市场支出突破10亿美元

据国外媒体报道，市场知名研究机构ABIResearch指出，无线基础设施射频功率半导体市场支出2013年实现又一飞跃。受全球经济形势和政治因素影响，其他市场的增长有所放缓，但某些次级市场表现出不错的上升潜力。

此外，ABIResearch还在一项最新研究中指出，长期以来被视为射频功率半导体极有前途的新型“材料选择”——氮化镓正在扩大其市场份额，特别是在无线基础设施领域。

ABIResearch主管兰斯·威尔逊（LanceWilson）表示：“氮化镓（GaN）2014年的市场份额不断增加，预计将在2019年成为一股重要力量。它填补了两种较早期技术之间的差距，展现出砷化镓的高频性能，并结合了硅LDMOS（横向双扩散金属氧化物晶体管）的功率处理能力。现在，它已经成为一种主流技术，市场占有率不断增加，并有望在未来成为市场的一个重要构成部分。”

在射频功率半导体业务中，除无线基础设施之外，表现最为强劲的垂直市场是防御领域。威尔逊称，总体而言，目前这是“一个非常重要的市场”。

尽管有关防御型电子硬件的报道并不乐观，但这部分市场2013年的实际表现要好于此前外界对一些细分市场的预期。