TriQuint：4G将给半导体产业带来极大的市场

2014年是4G牌照发放元年，但据业内人士指出4G的发展将不似3G时代那样渐进式的发展，而将是爆发式的发展。无论是4G网络基础建设、4G手机产业链都将在这个爆发式的发展中受益。

中国的4G发展吸引了国内外的相关厂商的高度关注，在刚过去的2014慕尼黑上海电子展期间，OFweek电子工程网编辑采访了TriQuint中国区总经理熊挺先生。他在谈话中通报了TriQuint与RFMD的合并相关事宜，并且谈到了4G的发展所带来的机遇及需要解决的问题。

TriQuint展厅

TriQuint中国区总经理熊挺

TriQuint与RFMD的合并事宜

北京时间2月24日，TriQuint和RFMicroDevices（RFMD）宣布，两家公司已经达成协议，将合并成为一家新的公司，合并后的新公司将提供一系列的移动相关产品和服务，并将为网络基础设施和国防/航空行业提供服务。

熊总特别提到了此次合并的细节，内容如下：

1）双方股东各持有新公司50%的股份，所以此次结合在资金上是完全平等的合并。新公司的董事会将从两家公司的现有董事会成员中各挑选5名担任，其中8人是独立董事。

2）新公司的领导团队也将会尽量的保持平衡。例如，RFMD的CEOBobBruggeworth将担任新公司的CEO，TriQuint的原CEO Ralph Quinsey将担任新公司的非执行董事长...

3）新公司将会分别在TriQuint和RFMD的现本部地址所在设立两个总部，形成双总部结构；

4）对于本次公司合并所起到的市场效应，熊总表示：“我认为本次TriQuint与RFMD的合并是一次相互增强型的市场动作。”

他解释道，射频技术主要可以分为：放大、滤波和开关三大块。TriQuint和RFMD在放大器方面都是做的比较好的，但是RFMD侧重2G/3G，TriQuint则着重于3G/4G。TriQuint的滤波器技术主要是SAW和BAW，而RFMD缺少这项技术，所以在这这方面是一个完全的互补。在开关方面，RFMD的主流技术是SOI，TriQuint的技术是砷化镓，但他认为未来SOI将是主流，因此RFMD又填补了TriQuint在此技术上的一些缺失。

目前，两家公司在等美国证券交易委员会批准，之后将开始进行整合工作。

4G将带来极大的市场

3G系统在中国的发展尚不完整，但4G的发展却极为迅速，并且已经被大量的应用。熊总表示，“在TriQuint看来，4G是才是移动互联真正的开端。”

现在业界对中国基站的数量说法不一；但总体来说，中国三大运营商每个都有10万个基站左右的计划。从这个角度讲，未来3年全球将有超过一半的基站在中国产生，这对中国的设备厂商而言将会带来一个业务增长非常迅速的时期。

熊总表示“中国国内的基站相关业务，从2013年二季度开始就呈现出一个迅猛增长的趋势，而且在未来半年仍将持续。”跟通信有关的中国设备厂商将在2~3年内迎来一个巨大的发展机遇，尤其是骨干网、4G网络方面。

3年前，中国骨干网对光通讯是从10G到40G演化，从去年开始从40G向100G演进，由于光通讯是高频芯片做的驱动，这些都是砷化镓做的，而下一步将是推进氮化镓基站的发展。

对于氮化镓产品，TriQuint已经更新了2~3代产品，目前支持氮化镓产品的公司包括飞思卡尔等。氮化镓技术可能是未来3年市场的主要发展方向，其产品最大的特点是高效率、省电、散热好；另外一个显著特点是可维持高频带宽，能更好地进行数据传输。

“但氮化镓最大的难题在于成本问题。”熊总表示，“现在氮化镓的原材料主要是以氮化硅为衬底，包括大尺寸（4寸）、生产线在内等都在制约着氮化镓的成本。”除此之外，还要解决生产产品性能方面的问题，最后就是衬底材料，由于氮化硅比较复杂，所以厂商在选择时就显得尤为重要。

同时，熊总谈到信号的分层覆盖模式。利用小基站在城市的楼宇之间进行数据盲点的覆盖和流量的增强，也将会在骨干网络的铺设基本完成后形成一个新的市场方向。

在采访的最后，熊总表示，“TriQuint有一个愿景，就是在未来5年左右的时间里将氮化镓工艺的产品应用到手机中。”这将会使4G产业链形成一个较为高效且完整的生态系统。

【知识点】

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。

它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。