近日，美国导弹防御局（MDA）授予美国雷声公司一份合同，研究砷化镓（GaAs）向氮化镓（GaN）转换工艺，以将GaN器件用于目前和未来AN/TPY-2雷达。将GaAs产品转换成GaN产品将使弹道导弹防御雷达进一步现代化，减缓系统过时报废。通过该合同，雷声公司将重新装备位于马萨诸塞州的GaAs单片微波集成电路（MMIC）制造工厂，为AN/TPY-2雷达制造GaN产品。
雷声公司AN/TPY-2雷达
GaN的优势
雷声公司综合防御系统任务系统和传感器业务副总裁Dave Gulla表示，“与GaAs 相比，GaN器件具有显著的、成熟的优势。通过该项目，雷声将研发清晰的AN/TPY-2雷达现代化升级方法，使该系统能够更好的保护国内外人们和关键设施不受弹道导弹威胁。”
雷神公司氮化镓（GaN）生产制造车间
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雷声公司导弹防御部门主管Jim Bedingfield表示，“采用能效更高的GaN替代传统GaAs，能够提升现有雷达监测范围至50%，提高不同目标的分辨率，或监测物的体积降低1/5。”
雷声公司在研发氮化镓上已有十五年经验
雷声公司开发的其他军用雷达已证明，GaN能够提高雷达探测范围，增强探测和辨别能力，降低生产成本。
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