美法合作推动砷化镓外延层技术低成本商业化

2013-03-01 来源:国防科技信息网 字号:

美国GT先进技术公司和法国Soitec公司签署了一项开发和许可协议,允许GT先进技术公司研制大规模、多晶圆的氢化物气相外延(HVPE)系统,并推动其商用化。

HVPE设备将用来制造高质量的氮化镓外延层,主要用于发光二极管(LED)和电力电子等高增长行业。

与传统的金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺相比,HVPE能够提高生长率和改善材料性能,有望大幅降低制造成本并提高器件性能。按照协议,许可费的预付款已在执行,但具体条款尚未披露。

GT先进技术公司将利用Soitec公司凤凰实验室的专有技术,研制HVPE系统,并推动其商用化发展,预计的应用日期为2014年下半年。未来HVPE系统将推动蓝宝石衬底氮化镓的大规模生产。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 胡开博) 

主题阅读: 砷化镓  外延层技术