美国DTRA寻求抗辐射高频模拟和射频半导体

[据军事航空电子网站2012年11月30日报道]美国国防威胁减除局（DTRA）11月28日发布了一份信息征询书（NTS139926578），寻求先进抗辐射高频模拟和射频半导体技术，以支持“先进高频模拟和射频半导体技术研发与加固”项目。

DTRA将向行业寻求辐射测试、建模和模拟技术，以评估单粒子效应（SEE）和总剂量效应（TID）的辐射环境下高频半导体的模拟和射频性能。

DTRA也关注90纳米以下半导体的抗辐射建模、仿真和抗辐射加固设计技术，设备类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。
（工业和信息化部电子科学技术情报研究所陈皓）