中国科学院EDA中心射频IP模块研制取得最新进展

日前，由中国科学院EDA中心承接的高性能IP模块研制课题，在陈岚研究员和吴玉平研究员的带领下，研究小组成员克服时间紧、任务重等困难，在基于SiGe工艺下的射频IP关键核心模块的研制工作取得了重要进展，并获得了上海华虹NEC电子有限公司的高度认可。

自从华虹NEC的0.13um SiGe HBT平台开放后，高性能IP研究小组又立即针对该平台进行了部分射频IP的设计工作，目前已进入制版阶段，并将很快进行流片验证。在整个项目的合作中，高性能IP研究小组主动与华虹NEC进行全面的探讨和交流，推进了该项目的顺利进行，并获得了华虹NEC的高度认可。